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IXTP3N50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 70W(Tc) 30V 5.5V@ 50µA 9.3nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2Ω@ 1.8A,10V 3.6A 409pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*16mm
供应商型号: ZT-IXTP3N50P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP3N50P

IXTP3N50P概述

    IXTY3N50P/IXTA3N50P/IXTP3N50P MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTY3N50P、IXTA3N50P 和 IXTP3N50P 是由 IXYS 公司生产的高性能 N-Channel 增强型功率 MOSFET。这些 MOSFET 具备出色的电气特性和高可靠性,广泛应用于直流-直流转换器、开关模式和谐振模式电源供应、交流和直流电机驱动等领域。此外,它们还适用于激光放电电路、火花点火装置和射频发生器等高压脉冲功率应用。

    2. 技术参数


    以下是这些 MOSFET 的主要技术参数和性能规格:
    - 漏源电压 (VDSS):500 V
    - 漏极电流 (ID):25°C 下为 3A,最大瞬态电流 (IDM) 为 8A
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值 ≤ 2Ω(在 10V 栅极电压下)
    - 栅极击穿电压 (BVGS):±30 V(连续), ±40 V(瞬态)
    - 最大结温 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 封装形式:TO-252、TO-263、TO-220

    3. 产品特点和优势


    这些 MOSFET 的特点和优势如下:
    - 低栅极电荷 (Qg):有效减少开关损耗,提高系统效率。
    - 低封装电感:有助于减少寄生效应,提升高频操作下的性能。
    - 雪崩耐受性:具备卓越的雪崩耐受能力,提高了系统的稳定性和可靠性。
    - 高功率密度:占用空间小,便于紧凑设计。
    - 易于安装:提供标准封装,方便用户安装和布线。

    4. 应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于多个领域,例如:
    - 直流-直流转换器:高效能的电力转换,特别是在高电压和大电流应用中。
    - 开关模式和谐振模式电源供应:高频率运行,可显著提高效率和减小体积。
    - 交流和直流电机驱动:提供稳定的驱动能力和快速响应速度。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应考虑散热措施以确保结温不超过 150°C。
    - 配合合适的栅极电阻,可以进一步优化开关速度和降低功耗。
    - 在需要高可靠性的环境中,建议选择带有保护电路的设计方案。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 可与多种标准接口和电路兼容。IXYS 公司提供了全面的技术支持和维护服务,包括但不限于技术支持热线、在线文档资源和现场技术服务。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方法:
    - 问题:过高的结温导致性能下降。
    - 解决方法:改善散热设计,确保良好的热管理系统。
    - 问题:开关损耗过高。
    - 解决方法:选用更低栅极电荷 (Qg) 的型号,或采用合适的栅极电阻。
    - 问题:启动时出现电流突变。
    - 解决方法:检查电路布局和接地,确保电路连接正确。

    7. 总结和推荐


    总的来说,IXTY3N50P、IXTA3N50P 和 IXTP3N50P 是一款非常适合在多种应用中使用的高性能 MOSFET。其独特的特性,如低栅极电荷、低封装电感、雪崩耐受性等,使其在市场上具有较强的竞争力。考虑到其广泛的应用范围和可靠性能,我们强烈推荐这些产品用于各类电力电子应用中。
    如果您有任何进一步的问题或需要更多详细信息,请随时联系我们。

IXTP3N50P参数

参数
栅极电荷 9.3nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 1.8A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 409pF@25V
Id-连续漏极电流 3.6A
最大功率耗散 70W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 50µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*16mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXTP3N50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP3N50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP3N50P IXTP3N50P数据手册

IXTP3N50P封装设计

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