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IXTQ36N30P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 70nC@ 10 V 1个N沟道 300V 110mΩ@ 18A,10V 36A 2.25nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm*4.9mm*20.3mm
供应商型号: ZT-IXTQ36N30P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ36N30P

IXTQ36N30P概述


    产品简介


    本产品为IXYS公司的N沟道增强型功率MOSFET,型号为IXTA 36N30P、IXTP 36N30P和IXTQ 36N30P。这些MOSFET具有300V的漏源击穿电压(VDSS),适用于广泛的电源转换和电机控制应用。它们以其低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力而闻名,广泛应用于工业自动化、电动车辆、太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压(VDSS) | - | 300 V | 300 V |
    | 门极-源极击穿电压(VGS) | ±30 V | ±40 V | ±40 V |
    | 漏极连续电流(ID25) | - | 36 A | 36 A |
    | 峰值漏极电流(IDM) | - | - | 90 A |
    | 二极管反向恢复时间(trr) | - | 250 ns | - |
    | 栅极充电量(Qg) | - | 70 nC | - |
    | 热阻抗(RthJC) | 0.42°C/W | - | - |

    产品特点和优势


    这款MOSFET具备多种优势,使其在各种应用中表现出色:
    - 低导通电阻(RDS(on)):≤110 mΩ(典型值),保证了高效的能量转换效率。
    - 高功率密度:占用空间小,适合紧凑设计。
    - 易于驱动和保护:得益于低封装电感和简易的电路设计。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C至+150°C,确保在极端环境下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET在多种应用中表现优异,如电源转换和电机控制。在实际应用中,需注意以下几点:
    - 选择合适的驱动电路:根据具体需求调整栅极驱动电压和电流,以达到最佳性能。
    - 散热管理:由于高功耗可能导致过热,需要采取有效的散热措施,例如使用散热片或强制风冷。
    - 正确布线:避免寄生电感和电容引起的干扰,确保系统稳定运行。

    兼容性和支持


    IXYS公司提供了丰富的技术支持资源,包括详细的技术手册、在线论坛以及客户服务。这些MOSFET可与标准电路板兼容,但建议在组装前进行严格的测试和验证。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 高温下性能下降 | 使用散热片并确保良好的气流 |
    | 开关频率不稳定 | 调整栅极电阻以优化驱动信号 |
    | 过电流导致损坏 | 添加适当的过流保护电路 |

    总结和推荐


    总的来说,IXTA 36N30P、IXTP 36N30P和IXTQ 36N30P MOSFET凭借其出色的性能参数和多种应用场景,是高性能电力应用的理想选择。如果您正在寻找一款能够应对苛刻环境条件且高效可靠的功率MOSFET,那么这款产品无疑是值得考虑的。

IXTQ36N30P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 18A,10V
Id-连续漏极电流 36A
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 70nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.25nF@25V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 300V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
长*宽*高 15.8mm*4.9mm*20.3mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ36N30P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ36N30P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ36N30P IXTQ36N30P数据手册

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