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VMO550-01F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 2.2KW(Tc) 20V 6V@110mA 2μC@ 10 V 1个N沟道 100V 2.1mΩ@ 500mA,10V 590A 50nF@25V Y-3-DCB 底座安装
供应商型号: VMO550-01F-ND
供应商:
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) VMO550-01F

VMO550-01F概述

    高质量文章:HiperFET™ MOSFET模块技术手册解读

    1. 产品简介


    HiperFET™ MOSFET模块是一种高性能的电子元器件,属于N沟道增强模式MOSFET。它适用于广泛的电源管理应用,如电动汽车的交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动系统、开关式和共振式电源供应、以及直流斩波器。这些应用需要高效、可靠的功率控制解决方案,而HiperFET™ MOSFET模块正是为此设计。

    2. 技术参数


    HiperFET™ MOSFET模块的主要技术参数如下:
    - 最大额定值:
    - 栅源电压(VGSS):连续条件下≤20V;瞬态条件下≤30V
    - 漏源电压(VDSS):最大100V
    - 漏极电流(ID):在25°C时可达590A;在80°C时可达440A;脉冲条件下可达2360A
    - 脉冲功耗(PD):在25°C时为2200W
    - 工作温度范围(TJ):-40至+150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-40至+125°C
    - 绝缘电压(VSOL):50/60Hz下≥3000V(t=1min),在t=1s时≤3600V
    - 特征值:
    - 栅漏电容(Coss):在VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz条件下的典型值为17.6nF
    - 栅源电容(Ciss):典型值为50nF
    - 入栅电荷(Qg):典型值为2000nC
    - 热阻(RthJC):典型值为0.057K/W

    3. 产品特点和优势


    HiperFET™ MOSFET模块具有以下显著特点和优势:
    - 国际标准封装:采用国际标准封装,易于集成和替换。
    - 直接铜键合氧化铝陶瓷基板:提供高可靠性和散热性能。
    - 隔离电压:高达3600V,确保安全可靠的电力转换。
    - 低RDS(on):采用先进的HDMOSTM工艺,降低导通电阻。
    - 低封装电感:适合高速开关应用。
    - Kelvin Source接触:便于驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    HiperFET™ MOSFET模块广泛应用于各类高压大电流场合,例如:
    - 电动汽车:用于控制电动机的速度,提升能效。
    - 机器人驱动:提供高效的电源转换,提高运动精度。
    - 开关电源:实现高效率的直流到直流转换。
    - 直流斩波器:控制输出电压,调节负载功率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保正确计算和验证所有的电流和电压等级,以防止过载。
    - 注意散热管理,特别是在高功率应用中,确保良好的热导通路径,避免温度过高导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    HiperFET™ MOSFET模块与其他电子元器件兼容性良好,适用于多种电源转换和控制设备。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的技术文档、在线技术支持和现场培训。

    6. 常见问题与解决方案


    常见的问题及其解决方案包括:
    - 问题:启动时出现过电流。
    - 解决方案:检查外部栅极电阻设置是否正确,调整至合适值。

    - 问题:温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热路径,确保良好的散热环境。

    - 问题:开关损耗较大。
    - 解决方案:优化驱动电路,减少开关时间和开关频率。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HiperFET™ MOSFET模块凭借其高性能、高可靠性和易用性,在众多电力电子应用中表现出色。对于需要高效、高可靠性电力转换的项目,HiperFET™ MOSFET模块是一个理想的选择。因此,强烈推荐此产品用于相关应用。

VMO550-01F参数

参数
栅极电荷 2μC@ 10 V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 2.2KW(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 500mA,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 590A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@110mA
通用封装 Y-3-DCB
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,散装

VMO550-01F厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

VMO550-01F数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS VMO550-01F VMO550-01F数据手册

VMO550-01F封装设计

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