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IXFQ72N30X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 82nC@ 10 V 1个N沟道 300V 19mΩ@ 36A,10V 72A 5.4nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFQ72N30X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFQ72N30X3

IXFQ72N30X3概述

    高质量电子元器件技术手册概述

    产品简介


    本文将介绍IXYS公司的三种N沟道增强型MOSFET产品:IXFP72N30X3、IXFQ72N30X3 和 IXFH72N30X3。这些产品主要应用于开关电源、直流到直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统等领域。这些MOSFET具有高功率密度、易于安装和空间节省的特点,特别适用于需要高效能、低损耗的应用场合。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最高击穿电压(BVDSS):300V
    - 最大漏极电流(ID25):72A
    - 导通电阻(RDS(on)):最大19mΩ
    - 栅源电容(Ciss):5400pF
    - 输出电容(Coss):800pF
    - 反向恢复时间(trr):100ns
    - 功率耗散(PD):390W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 贮存温度范围(Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:支持多种国际标准封装形式,如TO-220、TO-3P和TO-247,方便集成。
    - 低RDS(on)和QG:导通电阻低至19mΩ,栅极电荷仅为25nC,有助于提高能效和降低热耗。
    - 抗雪崩能力:提供雪崩击穿额定值,确保可靠性。
    - 低封装电感:有效减少开关过程中的寄生效应。
    - 高功率密度:单位体积内的功率输出更高,空间利用率高。
    - 易于安装:简化安装过程,减少组装时间和成本。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:可以用于高频开关电源设计,如Boost或Buck转换器。
    - 电机驱动:适用于各种交流和直流电机控制,尤其是在需要精确调速的场合。
    - 电力转换系统:适合在电力变换器中使用,尤其是功率因数校正(PFC)电路。
    - 机器人和伺服控制:提供高速响应和高精度控制,适合复杂的运动控制系统。
    使用建议:
    - 在选择散热片时,应根据MOSFET的工作温度和功耗进行匹配,确保良好的热管理。
    - 在高频应用中,注意减小外部引线电感,避免造成不必要的能量损失。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:支持TO-220、TO-3P和TO-247封装,可与多种标准母板兼容。
    - 技术支持:IXYS公司提供全面的技术支持和维护服务,用户可以通过官方网站获取最新资料和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问:在高温环境下,MOSFET的性能如何变化?
    - 答:随着温度升高,导通电阻会增大,需注意散热管理。
    - 问:如何防止MOSFET过载?
    - 答:通过合理设计电路,确保最大工作电流不超过额定值,并使用适当的保护电路。
    - 问:长时间高电流运行会有什么影响?
    - 答:可能会导致热失控,需要采用有效的热管理措施。

    总结和推荐


    总的来说,IXFP72N30X3、IXFQ72N30X3 和 IXFH72N30X3 这些MOSFET产品具备高功率密度、易于安装和空间节省等显著优势。在开关电源、直流到直流转换器和机器人控制系统等方面表现出色,非常适合需要高效能和可靠性的应用场合。考虑到其优异的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐这些产品给相关领域的工程师和技术人员。

IXFQ72N30X3参数

参数
Id-连续漏极电流 72A
栅极电荷 82nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 390W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 300V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 36A,10V
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFQ72N30X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFQ72N30X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFQ72N30X3 IXFQ72N30X3数据手册

IXFQ72N30X3封装设计

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