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IXFN130N30

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 700W(Tc) 20V 4V@8mA 380nC@ 10 V 1个N沟道 300V 22mΩ@ 500mA,10V 130A 14.5nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装
供应商型号: LDL-IXFN130N30
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN130N30

IXFN130N30概述

    # IXFN 130N30 HiPerFET™ 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFN 130N30 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用国际标准封装形式 miniBLOC 和 SOT-227B 封装。此产品基于先进的 HDMOS 工艺设计,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于各种高效率的电力转换和控制场景。IXFN 130N30 主要用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器及温度和照明控制等领域。
    主要功能:
    - 低导通电阻,适合高效率应用。
    - 快速开关速度,提升系统效率。
    - 高可靠性,通过 avalanche-rated 和高 dv/dt 评级测试。
    - 支持多种电力控制场景,具有广泛的适应性。
    应用领域:
    - 电源管理:如 DC-DC 转换器、电池充电器。
    - 电力控制:如开关模式和共振模式电源。
    - 工业控制:如温度和照明控制。
    - 电动机驱动:如直流斩波器。

    技术参数


    以下是 IXFN 130N30 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 导通电阻(RDS(on)) | 22 mΩ | - | - |
    | 集电极-发射极电压(VDSS) | - | 300 V | - |
    | 源漏极电流(ID25) | - | 130 A | - |
    | 栅极-源极电容(Ciss) | - | 14500 pF | - |
    | 栅极电荷(QG(on)) | - | 380 nC | - |
    | 热阻(RthJC) | - | 0.18 K/W | - |
    此外,IXFN 130N30 的最大额定值如下:
    - 最高结温(TJ):150°C
    - 最高工作温度(Tstg):-55°C 至 150°C
    - 最大功耗(PD):700 W
    - 最高隔离电压(VISOL):2500 VRMS(50/60 Hz)

    产品特点和优势


    特点:
    1. 国际标准封装:提供 miniBLOC 和 SOT-227B 封装选项,便于安装和使用。
    2. 高性能 MOSFET 技术:采用 HDMOS 工艺,具有低导通电阻和快速开关速度。
    3. 高可靠性:具备 avalanche-rated 和高 dv/dt 特性,适用于苛刻的工作环境。
    4. 低寄生效应:低寄生电感设计,有助于减少电磁干扰。
    优势:
    1. 易安装性:标准封装便于自动化装配,节省生产时间。
    2. 空间节约:紧凑的封装设计,适合空间受限的应用。
    3. 高功率密度:低导通电阻和高效开关特性显著提高功率密度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源:IXFN 130N30 可以高效处理高频开关操作,适用于高效率的开关模式电源。
    - 电池管理系统:低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于电池充电器。
    使用建议:
    1. 优化电路设计:确保电路中包含必要的去耦电容器,以减小寄生效应。
    2. 热管理:在高功率应用中,需注意良好的散热措施以保持器件的可靠运行。
    3. 保护电路:添加适当的保护电路,避免过压和过流对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    IXFN 140N30 与市场上主流的电路板设计兼容,可直接替换同类器件。厂商提供全面的技术支持,包括详细的资料文档和在线技术支持服务。此外,产品还提供五年质保期,确保客户无忧使用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护未正常工作 | 检查散热片安装情况并增加风扇。 |
    | 开关损耗过高 | 减少电路中的寄生电感。 |
    | 热失控现象 | 使用更高额定值的器件。 |

    总结和推荐


    IXFN 130N30 HiPerFET™ 功率 MOSFET 是一款极具竞争力的产品,以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,成为许多高效率电力应用的理想选择。其紧凑的设计、广泛的应用范围以及可靠的支持服务,使其在市场上脱颖而出。
    综合评估:
    - 优点:低导通电阻、高可靠性、易于安装。
    - 推荐使用场景:适用于需要高效率、高功率密度的应用场景,如开关电源、电池管理系统等。
    总之,IXFN 130N30 是一款值得推荐的高性能功率 MOSFET,特别适合追求高效率和可靠性的电力应用。

IXFN130N30参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 300V
Id-连续漏极电流 130A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.5nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 380nC@ 10 V
最大功率耗散 700W(Tc)
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFN130N30厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN130N30数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN130N30 IXFN130N30数据手册

IXFN130N30封装设计

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