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IXFK66N50Q2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 735W(Tc) 30V 4.5V@8mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 500V 80mΩ@ 500mA,10V 66A 8.4nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: ZT-IXFK66N50Q2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK66N50Q2

IXFK66N50Q2概述


    产品简介


    产品名称:IXFK 66N50Q2 & IXFX 66N50Q2
    产品类型:这些产品属于高功率增强模式N沟道MOSFET(场效应晶体管),属于IXYS公司生产的HiPerFETTM系列。这类器件广泛应用于各种电源转换、电机控制和电池管理等领域。
    主要功能:
    - 高可靠性:具备雪崩耐受能力,适用于恶劣的工作环境。
    - 低导通电阻(RDS(on)):有效降低功耗,提高效率。
    - 快速开关特性:支持高速开关,适用于高频应用。
    - 高功率密度:体积小巧但性能强大,适合空间受限的应用场合。
    应用领域:
    - 电源转换:用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等。
    - 电机控制:适用于驱动电动机和其他负载设备。
    - 电池管理系统:用于监控和管理电池组的充放电过程。
    - 汽车电子:广泛应用于电动汽车的逆变器和充电系统。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(漏源击穿电压) | 500 V | 500 V | 500 V |
    | VGS(th)(门限电压) | 2.0 V | 4.5 V | 4.5 V |
    | ID25(常温下漏极电流) | 66 A | 66 A | 66 A |
    | RDS(on)(导通电阻) | 80 mΩ | 80 mΩ | 80 mΩ |
    | td(on)(开通延迟时间) | - | 32 ns | - |
    | tr(上升时间) | - | 16 ns | - |
    | t(f)(栅极恢复时间) | - | 10 ns | - |
    支持的电气特性:
    - 栅极-源极漏电流:VGS = ±30 VDC,VDS = 0,最大±200 nA
    - 栅极输入电容:Ciss = 8400 pF
    - 输出电容:Coss = 1290 pF
    - 反向传输电容:Crss = 310 pF
    - Qg(on):200 nC
    - Qgd:98 nC
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 储存温度范围:-55°C至+150°C
    - 结温范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 双金属工艺:提供低栅极电阻,提升整体性能。
    - 国际标准封装:方便集成到现有系统中。
    - 阻燃等级:符合UL 94 V-0标准,提高安全性。
    - 高瞬态电压能力:能够承受高压冲击,适用于恶劣环境。
    - 快速恢复二极管:降低损耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:IXFK 66N50Q2在DC-DC转换器中表现出色,具有高效的能量转换率。
    - 电机驱动:IXFX 66N50Q2适用于电机驱动应用,具有高电流处理能力和低损耗特性。
    使用建议:
    - 在设计中考虑散热需求,确保散热片足够大以保持器件温度在安全范围内。
    - 选择合适的驱动电路以充分利用其快速开关特性。
    - 在进行高压操作时,注意使用适当的保护措施以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用国际标准封装,易于与其他标准组件兼容。
    - 厂商支持:IXYS提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的使用手册和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热导致性能下降。
    解决方案:增加外部散热片,并确保良好的空气流通以降低器件温度。

    2. 问题:在高电压环境下工作时,器件受损。
    解决方案:使用额外的保护电路,如瞬态电压抑制器,以防止电压突变。

    3. 问题:开启速度慢导致能耗增加。
    解决方案:优化驱动电路设计,使用较低的栅极电阻以加速开启速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高可靠性和高性能:能应对极端工作条件。
    - 低导通电阻和快速开关特性:减少能耗并提高效率。
    - 国际标准封装:便于集成,支持广泛的工业应用。

    - 推荐:
    - 推荐用于需要高效能、高可靠性的电源管理和电机控制应用。IXFK 66N50Q2和IXFX 66N50Q2是理想的解决方案,特别是在严苛环境下的应用场合。

IXFK66N50Q2参数

参数
Id-连续漏极电流 66A
栅极电荷 200nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 735W(Tc)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.4nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 500mA,10V
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFK66N50Q2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK66N50Q2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK66N50Q2 IXFK66N50Q2数据手册

IXFK66N50Q2封装设计

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