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IXFA4N100Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 39nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 3Ω@ 2A,10V 4A 1.05nF@25V TO-263-3 贴片安装 10.41mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: ZT-IXFA4N100Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFA4N100Q

IXFA4N100Q概述

    电子元器件产品技术手册:IXFA4N100Q 和 IXFP4N100Q

    1. 产品简介


    IXFA4N100Q 和 IXFP4N100Q 是由 IXYS 公司生产的一种 N-沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件主要用于高效率的电力转换应用,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、斩波电路以及温度和照明控制等。这些产品具备快速固有二极管、低栅极电荷和低导通电阻等特点,能够显著提升系统效率并简化设计。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压 \( V{DSS} \): 1000 V
    - 漏电流 \( I{D25} \): 4 A (25°C)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): ≤ 3.0 Ω
    - 工作温度范围 \( T{J} \): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 静态漏极电流 \( I{D} \): 4 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 16 A
    - 转换速率 \( dv/dt \): 5 V/ns
    - 脉冲功率 \( P{D} \): 150 W
    - 热参数
    - 结温 \( T{J} \): -55°C 至 +150°C
    - 最高接点温度 \( T{JM} \): 150°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 至 +150°C
    - 物理参数
    - 最大焊料温度 \( T{L} \): 300°C
    - 塑料体焊料温度 \( T{SOLD} \): 260°C
    - 安装力矩 \( M{d} \): 1.13 Nm / 10 lb-in (TO-220)
    - 重量: TO-263 (2.5 g), TO-220 (3.0 g)

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:适用于紧凑型设计。
    - 易于安装:标准化封装简化了装配过程。
    - 节省空间:优化的布局和结构设计减少了对电路板的空间需求。
    - 快速固有二极管:具有快速开关特性,适用于高频应用。
    - 低栅极电荷:降低了驱动损耗。
    - 低导通电阻:提高了效率,降低了功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC-DC 转换器:利用其低导通电阻和高效率特性,适用于高效的电源转换。
    - 电池充电器:适合于快速充电应用,因其低栅极电荷特性减少了充电时间。
    - 开关模式和共振模式电源:其快速固有二极管特性使得此类器件在这些应用中表现出色。
    - DC 斩波器:适用于需要高效切换的场合。
    - 温度和照明控制:其低功耗和高可靠性使其成为理想的控制系统组件。
    使用建议:
    - 在设计过程中考虑其高工作温度范围,以确保长期稳定性。
    - 注意散热管理,特别是对于高功率应用,确保器件不会因过热而失效。
    - 选择合适的外部栅极电阻 \( R{G} \),以平衡开关时间和驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    这些产品采用国际标准封装,可以方便地与其他兼容的电子元件集成。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,包括详细的安装指南和故障排查手册,帮助用户最大化产品性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:启动时出现不稳定现象。
    - 解决方法:检查电源电压是否稳定,确保连接正确且无短路。
    - 问题 2:器件发热严重。
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或冷却风扇。
    - 问题 3:开关速度慢。
    - 解决方法:优化外部栅极电阻 \( R{G} \),确保其值适当。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IXFA4N100Q 和 IXFP4N100Q 是高性能、高可靠性的功率 MOSFET,非常适合高效率的电力转换应用。其低导通电阻、快速固有二极管和易于安装的特点使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效、稳定电力转换的应用,强烈推荐使用这两款产品。

IXFA4N100Q参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Id-连续漏极电流 4A
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 2A,10V
栅极电荷 39nC@ 10 V
最大功率耗散 150W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.05nF@25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10.41mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFA4N100Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFA4N100Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFA4N100Q IXFA4N100Q数据手册

IXFA4N100Q封装设计

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