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IXFM13N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 180W 20V 1个N沟道 500V 400mΩ 13A TO-204AE-3 通孔安装 39.12mm*25.9mm*9.14mm
供应商型号: LDL-IXFM13N50
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFM13N50

IXFM13N50概述

    # HiPerFET™ IXFH 13N50 MOSFET 技术手册

    产品简介


    HiPerFET™ IXFH 13N50 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为高压应用设计,具有高开关速度和低导通电阻的特点。产品以其卓越的性能和可靠性广泛应用于各种电力电子系统,如DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电池充电器及各种开关和谐振模式电源等。其栅极驱动简单,适合在高频和大电流环境下使用,同时具备抗浪涌能力,能够应对恶劣的工作环境。

    技术参数


    以下是IXFH 13N50的主要技术参数:
    - 最大耐压 (VDSS):500V
    - 连续漏极电流 (ID):13A(TC=25℃)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):52A(TC=25℃)
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值0.4Ω(VGS=10V,ID=0.5×ID25)
    - 阈值电压 (VGS(th)):2.4V~4.0V
    - 输入电容 (Ciss):2800pF
    - 反向恢复时间 (trr):250ns(TJ=25℃)
    工作环境
    - 工作温度范围 (TJ):-55℃至+150℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55℃至+150℃
    - 引脚温度 (TJM):最高可达150℃

    产品特点和优势


    HiPerFET™ IXFH 13N50 的主要特点包括:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):确保更低的功耗和更高的效率。
    - 快速开关性能:低反向恢复时间和高dv/dt容限使它在高频应用中表现优异。
    - 坚固的多晶硅栅极结构:提供更强的耐用性和稳定性。
    - 标准化封装:符合国际标准的TO-247和TO-204封装形式,易于安装和使用。
    这些特性使得IXFH 13N50在现代电力电子应用中脱颖而出,不仅提高了系统的整体效率,还降低了设计复杂度和成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXFH 13N50 被广泛用于多种电力电子系统,例如:
    - 不间断电源(UPS):用于确保关键负载的持续供电。
    - 电池充电器:高效能的充电管理需要这种高功率密度的MOSFET。
    - 开关模式电源:适用于高频率工作的场合,以提升效率并减少体积。
    使用建议
    为了最大化IXFH 13N50的性能,建议采取以下措施:
    - 确保良好的散热条件,特别是在高电流工作条件下。
    - 使用合适的栅极驱动电路来减少开关损耗。
    - 保持良好的PCB布局,减少寄生电感和电阻的影响。

    兼容性和支持


    IXFH 13N50 提供了多种封装选择,包括TO-247和TO-204,便于与现有电路板设计集成。IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决开发过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极电阻以优化开关速度。 |
    | 导通电阻过大 | 检查工作温度是否超出正常范围。 |
    | 反向恢复时间长 | 考虑使用肖特基二极管辅助设计。 |

    总结和推荐


    总体而言,IXFH 13N50 是一款优秀的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关能力和优良的热性能,在众多电力电子应用中表现出色。我们强烈推荐此产品给那些寻求高性能、可靠性的工程师和技术人员。无论是从性价比还是功能性来看,IXFH 13N50 都是值得信赖的选择。

IXFM13N50参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 13A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 180W
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ
长*宽*高 39.12mm*25.9mm*9.14mm
通用封装 TO-204AE-3
安装方式 通孔安装

IXFM13N50厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFM13N50数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFM13N50 IXFM13N50数据手册

IXFM13N50封装设计

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