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IXTX1R4N450HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 960W(Tc) 20V 6V@ 250µA 88nC@ 10 V 1个N沟道 4.5KV 40Ω@ 50mA,10V 1.4A 3.3nF@25V TO-247PLUS-HV 通孔安装
供应商型号: 747-IXTX1R4N450HV
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTX1R4N450HV

IXTX1R4N450HV概述

    # 高压功率MOSFET:IXTX1R4N450HV

    产品简介


    产品类型与主要功能
    IXTX1R4N450HV是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,由IXYS公司设计制造。该器件主要用于高电压电源转换,提供快速开关和低导通电阻的优势。
    应用领域
    - 高电压电源供应
    - 电容器放电应用
    - 脉冲电路
    - 激光和X射线生成系统

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 测试条件 | 最大值 |
    |
    | VDSS(漏源电压) | TJ = 25°C至150°C | 4500 V |
    | VDGR(栅极-外壳电压) | TJ = 25°C至150°C, RGS = 1MΩ | 4500 V |
    | VGSS(栅极电压) | 持续 | ±20 V |
    | VGSM(栅极瞬态电压) | 瞬时 | ±30 V |
    | ID(连续漏电流) | TC = 25°C | 1.4 A |
    | IDM(脉冲漏电流) | TC = 25°C, 脉冲宽度受限于TJM | 5.0 A |
    | PD(耗散功率) | TC = 25°C | 960 W |
    | TJ | -55...+150°C |
    | TJM | 150°C |
    | Tstg | -55...+150°C |
    | TL(焊锡最高引脚温度) | 300°C |
    | TSOLD(焊锡时间10秒后温度) | 1.6mm (0.062in.) 从外壳 | 260°C |
    | Md(安装力矩) | 20...120 / 4.5...27 Nm/lb.in |
    | 重量 | 6 g |
    特征值
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VGS(th)(栅极阈值电压) | VDS = VGS, ID = 250μA | 4.0 V | 6.0 V
    | IGSS(栅极反向电流) | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 nA
    | IDSS(漏极反向电流) | VDS = 3.6kV, VGS = 0V | 5 μA
    | VDS = 4.5kV | 25 μA
    | VDS = 3.6kV TJ = 125°C | 50 μA
    | RDS(on)(导通电阻) | VGS = 10V, ID = 50mA | 40 Ω
    | gfs(跨导) | VDS = 50V, ID = 0.7A | 1.2 S
    | Ciss(输入电容) | 3300 pF |
    | Coss(输出电容) | VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz | 134 pF
    | Crss(反相电容) | 52 pF |
    | RGi(栅极输入电阻) | 7.8 Ω |
    | td(on)(开启延迟时间) | 44 ns |
    | tr(上升时间) | 60 ns |
    | td(off)(关断延迟时间) | 126 ns |
    | tf(下降时间) | 170 ns |
    | Qg(on)(总栅极电荷) | 88 nC |
    | Qgs(栅极-源极电荷) | VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.7A | 16 nC
    | Qgd(栅极-漏极电荷) | 42 nC |
    | RthJC(结到外壳热阻) | 0.13°C/W |
    | RthCS(源极到壳体热阻) | 0.15°C/W |

    产品特点和优势


    - 高阻断电压:能够承受高达4500V的漏源电压,适用于高电压环境。
    - 空间节省:采用先进的封装技术,减少了安装空间,提高了空间利用率。
    - 高功率密度:导通电阻低,能够在相同体积内实现更高的功率处理能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在高电压电源供应中,IXTX1R4N450HV可以作为开关元件,确保电源稳定运行。
    - 在电容器放电应用中,利用其快速开关特性,实现高效的能量传输。
    使用建议
    - 在高电压环境下使用时,注意栅极电压限制,避免超过最大值±20V。
    - 为了提高可靠性,在高电流脉冲下使用时,需要合理控制脉冲宽度以防止过热。

    兼容性和支持


    - IXTX1R4N450HV采用标准的TO-247PLUS-HV封装,易于与其他标准组件兼容。
    - IXYS提供详细的安装指南和技术支持,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极电压超过限制 | 降低输入电压或使用稳压器进行保护 |
    | 过热导致故障 | 加强散热措施,使用散热片或风扇 |
    | 开关频率过高 | 适当降低开关频率以减少损耗 |

    总结和推荐


    IXTX1R4N450HV是一款高性能的高压功率MOSFET,具备高阻断电压、高功率密度等特点,适用于多种高电压应用场合。经过测试验证,其性能可靠且易于集成。强烈推荐给需要高效能、高稳定性的电源设计项目。

IXTX1R4N450HV参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 4.5KV
栅极电荷 88nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 1.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 40Ω@ 50mA,10V
最大功率耗散 960W(Tc)
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.3nF@25V
通用封装 TO-247PLUS-HV
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTX1R4N450HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTX1R4N450HV数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTX1R4N450HV IXTX1R4N450HV数据手册

IXTX1R4N450HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 71.225 ¥ 601.8513
10+ $ 68.634 ¥ 579.9573
30+ $ 56.091 ¥ 473.969
120+ $ 56.0805 ¥ 473.8802
库存: 79
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