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IXFN30N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 890W(Tc) 30V 6.5V@1mA 310nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 350mΩ@ 500mA,10V 30A 19nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: IXFN30N120P
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN30N120P

IXFN30N120P概述

    # IXFN30N120P 1200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    IXFN30N120P是一款高性能的N-通道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高功率密度、快速开关和紧凑设计的应用场合而设计。这款MOSFET提供了一种高效且可靠的解决方案,适用于广泛的电力电子应用,如直流到直流转换器、电池充电器、开关模式电源以及电机控制等。

    技术参数


    以下是IXFN30N120P的主要技术参数和性能指标:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDSS | 1200 | V |
    | VDGR | 1200 | V |
    | VGSS(连续) | ±30 | V |
    | VGSS(瞬态) | ±40 | V |
    | ID@25°C | 30 | A |
    | IDM@25°C | 75 | A |
    | IA | 15 | A |
    | EAS | 2 | J |
    | dv/dt | 20 | V/ns|
    | PD | 890 | W |
    | TJ | -55 ... +150 | °C |
    | TJM | 150 | °C |
    | Tstg | -55 ... +150 | °C |
    | VISOL | 2500 | Vrms|
    | ISOL | ≤1mA | mA |
    | Md | 1.5/13 | Nm/lb.in |
    | 终端连接扭矩 | 1.3/11.5 | Nm/Ib.in |
    | 重量 | 30 | g |
    特征
    - 国际标准封装
    - 低内部栅极电阻
    - 铝氮化物隔离miniBLOC
    - 低封装电感
    - 快速内在整流器
    - 低RDS(on) 和 QG
    典型值
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | BVDSS(VGS=0V, ID=3mA) | 1200 V |
    | VGS(th)(VDS=VGS, ID=1mA)| 3.5 | 6.5 V |
    | IGSS(VGS=±30V, VDS=0V) ±300 | nA |
    | IDSS(VDS=VDSS, VGS=0V) 50 | μA |
    | RDS(on)(VGS=10V, ID=15A) | 350 mΩ |
    | trr(延迟时间) | 300 ns |

    产品特点和优势


    优势
    - 高功率密度
    - 安装简便
    - 空间节省
    应用
    - 直流到直流转换器
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 交流电机控制
    - 高速功率开关应用

    应用案例和使用建议


    根据技术手册提供的应用场景,IXFN30N120P适用于多种高功率应用。例如,在直流到直流转换器中,该MOSFET可以作为高效的电流开关,确保系统能够在宽泛的工作温度范围内稳定运行。对于开关模式电源,由于其低RDS(on)特性,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
    使用建议:
    - 在高频率开关电路中,尽量选择较低的RDS(on),以减少损耗。
    - 在极端环境下,注意散热措施,确保TJ在安全范围内。

    兼容性和支持


    IXFN30N120P采用SOT-227B(IXFN)封装,具有良好的兼容性,可轻松集成到现有的电路设计中。IXYS公司提供全面的技术支持和维护服务,以确保客户能够充分发挥该产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    问题1:温度过高导致性能下降
    解决方法
    确保合理的散热设计,如增加散热片或使用热管理材料。
    问题2:电流过载导致损坏
    解决方法
    确保在规定的电流范围内使用,并设置适当的保护电路。
    问题3:开关损耗高
    解决方法
    使用较低RDS(on)的型号或优化驱动电路以降低开关损耗。

    总结和推荐


    综上所述,IXFN30N120P是一款高性能、多功能的MOSFET,特别适合需要高功率密度、快速开关和紧凑设计的应用。其显著的优点包括低RDS(on)、易于安装和良好的热稳定性。对于需要在严苛环境中工作的应用,IXFN30N120P是一个理想的选择。因此,强烈推荐该产品用于高要求的电力电子系统设计中。

IXFN30N120P参数

参数
最大功率耗散 890W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 19nF@25V
配置 独立式双源
通道数量 1
栅极电荷 310nC@ 10 V
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN30N120P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN30N120P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN30N120P IXFN30N120P数据手册

IXFN30N120P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 468.6509
600+ ¥ 452.35
900+ ¥ 444.1995
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