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IXFX80N50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.04KW(Tc) 30V 5V@8mA 197nC@ 10 V 1个N沟道 500V 65mΩ@ 40A,10V 80A 12.7nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: 747-IXFX80N50P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX80N50P

IXFX80N50P概述


    产品简介


    产品类型:IXFK 80N50P 和 IXFX 80N50P 是由IXYS公司生产的高性能N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),具有高达500V的击穿电压(VDSS)。
    主要功能:这些功率MOSFET主要用于高频开关应用,如电源转换器、电机驱动和照明系统等。其内置快速固有二极管使其在电路中能够实现高效的能量转换和低损耗操作。
    应用领域:适合于高能效要求的应用,例如服务器电源、电信设备、LED驱动器以及电动工具等领域。

    技术参数


    - 击穿电压(VDSS):500V
    - 额定电流(ID25):80A @ 25°C
    - 通态电阻(RDS(on)):≤ 65mΩ @ VGS = 10V, ID = 0.5 ID25
    - 最大栅极脉冲电压(VGSM):± 40V
    - 门限电压(VGS(th)):3.0V ~ 5.0V @ VDS = VGS, ID = 8mA
    - 栅极-源极电压下的漏极电流(IDSS):25μA @ VDS = VDSS
    - 热阻(RthJC):0.12°C/W
    - 热阻(RthCS):0.15°C/W
    - 最大结温(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供符合行业标准的封装选择,便于集成到多种应用环境中。
    - 易于安装:减少安装复杂度,提高生产效率。
    - 高功率密度:能够在有限的空间内提供更高的输出功率,节省空间并降低成本。
    - 低导通电阻:出色的RDS(on)性能使得器件在通态下具有更低的导通损耗,提高能源利用效率。
    - 高速开关能力:优秀的开关特性确保了高效且快速的切换操作。

    应用案例和使用建议


    应用场景:本器件广泛应用于开关电源设计中,特别是在需要高频开关的应用场合,如笔记本电脑适配器、服务器电源等。
    使用建议:
    - 在设计时需注意散热管理,确保器件在高功率状态下运行时不会因过热而失效。
    - 考虑到较高的VGS阈值,合理选择驱动电路,以保证在各种工作条件下都能稳定驱动器件。

    兼容性和支持


    兼容性:IXFK 80N50P和IXFX 80N50P均采用TO-264和PLUS247两种不同的封装形式,分别适用于不同的应用需求。这两种封装形式均易于与市面上主流的焊接技术和连接方式兼容。
    支持服务:IXYS为客户提供全面的技术支持服务,包括详细的安装指南、参数配置建议以及常见故障排查指南。此外,还提供了详尽的产品资料和在线资源供客户查阅。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在高温环境下工作时,发现器件温度异常升高。
    解决方案:检查散热片的设计是否合理,确保良好的热传导路径;同时考虑增加外部冷却措施如风冷或水冷装置。

    - 问题二:驱动过程中出现频繁开关损耗。
    解决方案:调整驱动信号的频率和幅度,以降低开关速度带来的损失;同时选择适当的栅极电阻来改善门极驱动特性。

    - 问题三:负载突变导致瞬态过电压。
    解决方案:加装钳位电路以保护MOSFET免受尖峰电压的损害;另外,可使用RC吸收网络来吸收可能产生的震荡能量。

    总结和推荐


    IXFK 80N50P 和 IXFX 80N50P 作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,凭借其出色的耐压能力和低导通电阻,在众多应用中表现出色。它的紧凑设计、高可靠性和广泛的适用性使其成为市场上备受青睐的选择之一。综上所述,强烈推荐在需要高性能、高可靠性功率控制组件的应用中使用该系列产品。

IXFX80N50P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 197nC@ 10 V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 40A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12.7nF@25V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX80N50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX80N50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX80N50P IXFX80N50P数据手册

IXFX80N50P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 25.323 ¥ 213.9794
10+ $ 21.1356 ¥ 178.5958
120+ $ 17.9655 ¥ 151.8085
270+ $ 16.7685 ¥ 141.6938
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