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IXFH9N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 180W(Tc) 20V 4.5V@2.5mA 130nC@ 10 V 1个N沟道 800V 900mΩ@ 500mA,10V 9A 2.6nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXFH9N80
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH9N80

IXFH9N80概述


    产品简介


    产品类型及功能
    本手册介绍的是IXYS公司的两款N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs),型号分别为IXFH8N80和IXFH9N80。这两种MOSFET均属于HiPerFETTM系列,具备高dv/dt、低trr(恢复时间)和HDMOSTM家族的特点。它们采用TO-247封装,是一种广泛应用于电力电子领域的高性能半导体器件。
    应用领域
    IXFH8N80和IXFH9N80适用于多种电力电子应用,包括但不限于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、交流电机控制以及温度和照明控制。这些应用场合要求器件具有高效能、快速响应和高可靠性。

    技术参数


    | 参数 | IXFH8N80 | IXFH9N80 |
    |
    | 最大漏源电压(VDSS) | 800 V | 800 V |
    | 漏极连续电流(ID25) | 8 A | 9 A |
    | 最大脉冲电流(IDM) | 32 A | 36 A |
    | 二极管最大反向电流(IS) | 8 A | 9 A |
    | 二极管重复最大反向电流(ISM) | 32 A | 36 A |
    | 最小栅极开启电压(VGS(th)) | 2 V | 2 V |
    | 最大导通电阻(RDS(on)) | 1.1 Ω | 0.9 Ω |
    | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5 V | 1.5 V |
    | 允许的最大结温(TJ) | -55 ... +150 °C | -55 ... +150 °C |
    | 工作环境温度范围(Tstg) | -55 ... +150 °C | -55 ... +150 °C |

    产品特点和优势


    IXFH8N80和IXFH9N80 MOSFET具备以下特点和优势:
    - 低导通电阻:较低的RDS(on)值使其具有更高的效率和更低的功耗。
    - 快速响应:得益于HDMOSTM工艺和低trr,这些器件能够在高压下实现快速开关操作。
    - 坚固的多晶硅栅极单元结构:提高了器件的鲁棒性和耐用性。
    - 简易安装:TO-247封装易于安装,且带有隔离螺孔,便于安装和保护。
    - 高功率密度:节省空间的设计使得这些器件能够在紧凑的空间内提供较高的功率输出。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:IXFH8N80和IXFH9N80非常适合于高效率的直流-直流转换器,这些转换器需要高效的开关管来提高整体系统效率。
    - 电机驱动:这些MOSFET在电机驱动系统中表现出色,尤其是对于需要高电流驱动的场合。
    使用建议
    - 驱动电路设计:为了确保最佳性能,建议使用适当的栅极驱动器以减少开关损耗并提高可靠性。
    - 散热管理:由于这些MOSFET在高电流条件下工作时会发热,必须采取有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 布局规划:在PCB设计时,应将这些MOSFET放置在靠近热源的位置,并确保良好的空气流通以防止过热。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与标准TO-247封装兼容,可直接替换市面上常见的类似产品。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括故障排查指南和测试报告。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 系统不稳定导致异常关断 | 检查驱动电路的稳定性,调整驱动电压 |
    | 启动时出现较大的浪涌电流 | 增加软启动电路以减少启动冲击 |

    总结和推荐


    IXFH8N80和IXFH9N80 MOSFET凭借其高可靠性和高性能,在众多电力电子应用中表现出色。这些MOSFET拥有较低的导通电阻和快速的开关速度,使其成为各种高功率应用的理想选择。建议在需要高效率和高可靠性的电力电子系统中使用这些器件。总体而言,这些产品是值得推荐的选择。

IXFH9N80参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@25V
栅极电荷 130nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@2.5mA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 180W(Tc)
Id-连续漏极电流 9A
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH9N80厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH9N80数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH9N80 IXFH9N80数据手册

IXFH9N80封装设计

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