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IXFL132N50P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 30V 5V@8mA 250nC@ 10 V 1个N沟道 500V 43mΩ@ 66A,10V 63A 18.6nF@25V TO-264-3 通孔安装
供应商型号: IXFL132N50P3
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFL132N50P3

IXFL132N50P3概述

    IXFL132N50P3 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFL132N50P3 是一款高性能的N沟道增强模式功率MOSFET(场效应晶体管),专为高功率转换应用设计。它具有快速内在整流器、低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on))等特点,适用于直流-直流转换器、电池充电器、开关电源、不间断电源、交流电机驱动等应用。该产品采用了直接铜键合衬底技术,确保了出色的散热性能和电气隔离。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最大值 |

    | VDSS(漏源击穿电压) | 500 V |
    | VDGR(栅极-漏极反向电压) | 500 V |
    | VGSS(栅极-源极连续电压) | ±30 V |
    | VGSM(栅极-源极瞬态电压) | ±40 V |
    | ID25(25°C下的漏极电流) | 63 A |
    | IDM(脉冲漏极电流) | 330 A |
    | IA(最大电流) | 66 A |
    | dv/dt(电压变化率) | 35 V/ns |
    | PD(耗散功率) | 520 W |
    | TJ(结温) | -55°C到+150°C |
    | TJM(最高结温) | 150°C |
    | TSTG(存储温度范围) | -55°C到+150°C |
    | TL(焊锡最高引线温度) | 300°C |
    | TSOLD(塑料封装耐受温度) | 260°C |
    | VISOL(隔离电压) | 2500 VAC |
    | ISOL(绝缘电流) | 1 mA |
    | Weight(重量) | 8 g |

    3. 产品特点和优势


    - 硅芯片直接铜键合衬底:高功率耗散、电气隔离和节省空间的设计。
    - 雪崩额定值:具备承受瞬时过压的能力。
    - 低寄生电感:提高开关性能,减少损耗。
    - 快速内在整流器:优化开关效率。
    - 低RDS(on) 和 QG:降低功耗,提高能效。
    - 易安装:简化组装过程,减少生产成本。
    - 空间节约:紧凑设计适合多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:适用于高压输入的直流-直流转换器,提高系统效率。
    - 电池充电器:提供高效的电池充电解决方案,减少发热。
    - 开关电源:适合高功率需求的应用,如服务器电源。
    - 不间断电源:确保在断电情况下保持稳定供电。
    - 交流电机驱动:快速响应和高效能,适用于工业自动化设备。
    - 高速功率开关应用:提高系统的可靠性,延长使用寿命。
    使用建议:
    - 在选择合适的电路板布局时,注意散热路径的设计,以提高器件的热管理效果。
    - 确保良好的电气隔离,特别是在高电压环境下使用。
    - 针对高电流应用,需要特别关注导通电阻RDS(on),以避免因发热量过大导致的问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他常见的功率半导体器件兼容,如IGBT和肖特基二极管。
    - 支持:IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线论坛、技术支持热线等,确保用户能够获得全面的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最大工作电压?
    - 解决方案:查阅技术手册,确认VDSS(漏源击穿电压)的最大值,通常为500V。
    2. 问题:如何测量导通电阻RDS(on)?
    - 解决方案:使用数字万用表,在VGS=10V时测量,标准值通常小于43mΩ。
    3. 问题:如何优化开关时间?
    - 解决方案:调整外部栅极电阻RG的值,通常为1Ω,以达到理想的开关速度。

    7. 总结和推荐


    IXFL132N50P3 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,适用于多种高功率转换应用。其低RDS(on)、高雪崩额定值、快速开关特性和良好的电气隔离性能使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,这款产品非常适合于追求高效率和可靠性的工业应用。
    推荐:强烈推荐使用IXFL132N50P3作为高功率转换应用的理想选择。

IXFL132N50P3参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 520W(Tc)
栅极电荷 250nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 63A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@ 66A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 18.6nF@25V
20.29mm(Max)
5.21mm(Max)
26.42mm(Max)
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFL132N50P3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFL132N50P3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFL132N50P3 IXFL132N50P3数据手册

IXFL132N50P3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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