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IXFK120N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 560W(Tc) 20V 4V@8mA 300nC@ 10 V 1个N沟道 200V 17mΩ@ 60A,10V 120A 9.1nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: IXFK120N20
供应商: 国内现货
标准整包数: 200
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK120N20

IXFK120N20概述

    IXFX 120N20 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFX 120N20 是一款高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于 HiPerFETTM 系列。这款器件采用国际标准封装,具备低导通电阻(RDS(on))、坚固的多晶硅栅极单元结构以及快速内置整流器等特点。它广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、交流电机控制以及温度和照明控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大漏源电压(VDSS) | 200 V |
    | 持续栅极电压(VGS) | ±20 V |
    | 脉冲栅极电压(VGSM) | ±30 V |
    | 连续漏极电流(ID) | 120 A(TC=25°C)
    76 A(TC=104°C) |
    | 峰值漏极电流(IDM) | 480 A |
    | 漏极雪崩耐量(EAS) | 3 J |
    | 极间电容(Coss) | 2200 pF |
    | 导通时间(td(on)) | 40 ns |
    | 关断时间(td(off)) | 110 ns |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 17 mΩ |
    | 热阻抗(RthJC) | 0.22 K/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):采用 HDMOSTM 工艺,提供超低的导通电阻,适用于高效率应用。
    2. 快速响应:拥有快速的开关特性和低的反向恢复时间(trr),适用于高频应用。
    3. 紧凑封装:PLUS 247TM 封装适合多种安装方式,节省空间,提高功率密度。
    4. 高可靠性:坚固的多晶硅栅极结构提高了产品的耐用性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    1. 直流-直流转换器:IXFX 120N20 的低 RDS(on) 和高耐压使其成为高效能 DC-DC 转换器的理想选择。建议在设计时注意散热,确保温度不超过 150°C。
    2. 电池充电器:其高功率密度和低导通电阻使其适用于各种电池充电器。建议使用外部散热措施以防止过热。
    3. 电机控制:可用于交流电机控制,特别是在需要快速响应和高功率的应用中。确保合适的驱动电路以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    IXFX 120N20 与各种标准接口兼容,可以轻松集成到现有系统中。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 温度过高:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. 驱动电路不稳定:使用合适的栅极电阻和稳压器,以稳定驱动信号。
    3. 噪声干扰:增加屏蔽措施或使用滤波器减少电磁干扰。

    总结和推荐


    IXFX 120N20 是一款高性能的功率 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。其紧凑的封装和广泛的适用范围使其成为多种应用场景的理想选择。强烈推荐在高效率应用中使用该产品。

IXFK120N20参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 60A,10V
栅极电荷 300nC@ 10 V
最大功率耗散 560W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.1nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFK120N20厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK120N20数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK120N20 IXFK120N20数据手册

IXFK120N20封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
200+ ¥ 124.8024
400+ ¥ 120.4614
600+ ¥ 118.2909
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