处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH11P50

IXTH11P50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 5V@ 250µA 130nC@ 10 V 1个P沟道 500V 750mΩ@ 5.5A,10V 11A 4.7nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: D-IXTH11P50
供应商: Future
标准整包数: 30
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH11P50

IXTH11P50概述

    # IXTH 11P50/IXTT 11P50 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IXTH 11P50 和 IXTT 11P50 是由 IXYS 公司生产的高性能 P-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。这类器件主要用于高功率密度的应用场合,广泛应用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。其独特的设计和制造工艺使其在严苛的工作环境中表现出色。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): -500 V(\( TJ = 25°C \) 到 150°C)
    - 门源电压 \( V{GSM} \): ±30 V
    - 持续漏电流 \( ID \): -11 A(\( TC = 25°C \))
    - 脉冲峰值漏电流 \( I{DM} \): -44 A(\( TC = 25°C \),脉冲宽度受 \( TJ \) 限制)
    - 反向雪崩电流 \( I{AR} \): -11 A(\( TC = 25°C \))
    - 反向雪崩能量 \( E{AR} \): 30 mJ
    - 功耗 \( PD \): 300 W(\( TC = 25°C \))
    - 结温 \( TJ \): -55°C 至 +150°C
    - 储存温度 \( T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    - 焊接最高引线温度 \( TL \): 300°C(从外壳算起 1.6 mm (0.062 in.) 处 10 秒)
    特征值
    - 开启电压 \( V{GS(th)} \): -3.0 至 -5.0 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.75 Ω(\( V{GS} = -10 V \),\( ID = 0.5 \cdot I{D25} \))
    - 高频开关特性:
    - 小信号增益 \( g{fs} \): 5 S(\( V{DS} = -10 V \),\( ID = I{D25} \),脉冲测试)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 4700 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 430 pF(\( V{GS} = 0 V \),\( V{DS} = -25 V \),\( f = 1 MHz \))
    - 反馈电容 \( C{rss} \): 135 pF

    产品特点和优势


    - 国际标准封装: 适用于多种工业标准的封装形式。
    - 低导通电阻 \( R{DS(on)} \): 采用先进的 HDMOSTM 工艺,确保较低的导通电阻,降低功耗。
    - 坚固的多晶硅栅极结构: 提高器件的可靠性。
    - 无钳位电感换相 (UIS) 额定: 在大电流开关应用中提供卓越的保护。
    - 低封装电感: 易于驱动和保护。
    - 易于安装: 提高生产效率。
    - 空间节省: 减少占用面积。
    - 高功率密度: 适用于紧凑型设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些 MOSFET 可用于电机控制、逆变器和直流-直流转换器等应用。例如,在电机控制中,IXTH 11P50 和 IXTT 11P50 可以作为高效率的开关元件,实现精确的速度和位置控制。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,要注意降低功率损耗,避免热失控。
    - 在脉冲操作模式下,注意选择合适的外部栅极电阻 \( RG \) 以优化开关性能。
    - 避免超过最大额定电压和电流,以防止损坏。

    兼容性和支持


    这些器件适用于多种标准电源和控制电路板设计。IXYS 提供详尽的技术支持文档和现场工程师支持,确保用户能够顺利集成和调试产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免器件过热?
    解决方案:确保散热系统足够强大,并遵循推荐的降额曲线使用器件。增加外部散热片或风冷装置可以帮助管理热量。
    问题2:如何优化开关性能?
    解决方案:通过调整外部栅极电阻 \( RG \) 来优化开关时间。参考厂商提供的数据表,选择合适的 \( RG \) 值以实现最佳性能。

    总结和推荐


    IXTH 11P50 和 IXTT 11P50 功率 MOSFET 具有优异的性能和可靠的制造工艺,适合需要高功率密度和可靠性的应用。其独特的特性如低 \( R{DS(on)} \) 和优秀的高频开关性能使其成为众多工业应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐这些产品用于对性能和可靠性要求高的应用场合。

IXTH11P50参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 130nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@25V
通道数量 1
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 5.5A,10V
Id-连续漏极电流 11A
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH11P50厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH11P50数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH11P50 IXTH11P50数据手册

IXTH11P50封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ $ 6.9426 ¥ 59.1796
90+ $ 6.8252 ¥ 58.6937
150+ $ 6.7424 ¥ 58.4994
300+ $ 6.589 ¥ 57.1955
600+ $ 6.4152 ¥ 55.2123
库存: 120
起订量: 30 增量: 30
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 1775.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0