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IXTK140N30P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 20V 5V@ 500µA 185nC@ 10 V 1个N沟道 300V 24mΩ@ 70A,10V 140A 14.8nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: IXTK140N30P
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK140N30P

IXTK140N30P概述


    产品简介


    IXTK140N30P MOSFET 是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管(Polar™ Power MOSFET),由IXYS公司制造。它具有高电压(300V)、高电流(140A)的特点,适用于各种高功率需求的应用场合。这款MOSFET采用国际标准封装(TO-264),具备快速反向恢复二极管,低封装电感,易于驱动和保护等特点。它被广泛应用于开关电源、谐振模式电源、直流到直流转换器、激光驱动器、交流和直流电机控制以及机器人和伺服控制系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(耐压) | 300V
    | VGS(th)(门限电压) | 3.0V | 4.0V | 5.0V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 20mΩ | 24mΩ
    | ID(连续电流)| 140A
    | QG(栅极电荷) | 72nC | 185nC
    | Ciss(输入电容) | 14.8nF
    | Coss(输出电容) 1830pF
    | Crss(反向传输电容) 55pF
    工作环境:
    - 结温(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 最高结温(TJM):150°C
    - 工作温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
    - 焊接温度(TL):300°C
    - 表面温度(TSOLD):260°C

    产品特点和优势


    - 快速反向恢复二极管:具备低损耗的快速反向恢复特性,适合高频应用。
    - 国际标准封装:提供标准化接口,便于安装和集成。
    - Unclamped Inductive Switching (UIS):具有优秀的抗浪涌电流能力。
    - 低封装电感:有助于提高系统整体效率。
    - 易于驱动和保护:简化电路设计,降低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这款MOSFET广泛用于高效率开关电源、直流到直流转换器、激光驱动器、交流和直流电机控制及机器人伺服控制系统。例如,在开关电源中,该MOSFET可显著提高电源的转换效率和稳定性;在激光驱动器中,它的高可靠性和低损耗特性可以确保激光器的稳定运行。
    使用建议:为了充分利用其高可靠性,建议在高温环境下工作时对散热进行优化设计,以确保结温不超过150°C。此外,合理规划栅极驱动电路,减少栅极电荷,以避免驱动过程中的额外损耗。

    兼容性和支持


    IXTK140N30P MOSFET具有良好的兼容性,可以与其他电子元器件或设备轻松集成。IXYS公司为用户提供全面的技术支持和服务,包括但不限于产品咨询、应用指导和技术文档等。此外,公司还提供详细的故障排除指南和用户支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定该MOSFET是否能够满足我的应用需求?
    - 解决方案:参考产品手册中的电气特性和技术规格,结合您的应用需求,如电压、电流、频率等参数,选择合适的型号。
    2. 问题:如何处理过高的温度问题?
    - 解决方案:确保散热措施得当,比如增加散热片或使用强制风冷。同时,优化电路设计,减少不必要的热源。
    3. 问题:如何降低栅极电荷的影响?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻和优化驱动电路,降低开关过程中的栅极电荷,从而减少损耗。

    总结和推荐


    IXTK140N30P MOSFET 在高功率应用中表现出色,具有优异的电气特性和可靠性。其独特的设计使其在多种应用场景中都具有很高的性价比。对于需要高效率、高可靠性且具有较低驱动难度的场合,IXTK140N30P是理想的选择。强烈推荐给那些寻找高性能、高效能解决方案的工程师和设计师们。

IXTK140N30P参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 185nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 70A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 500µA
Id-连续漏极电流 140A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.8nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 300V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IXTK140N30P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK140N30P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK140N30P IXTK140N30P数据手册

IXTK140N30P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 168.3791
500+ ¥ 162.5224
750+ ¥ 159.5941
库存: 550
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