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IXFH130N15X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 80nC@ 10 V 1个N沟道 150V 9mΩ@ 65A,10V 130A 5.23nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXFH130N15X3
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH130N15X3

IXFH130N15X3概述

    高性能N沟道增强型MOSFET:IXFA130N15X3、IXFP130N15X3和IXFH130N15X3

    产品简介


    IXFA130N15X3、IXFP130N15X3和IXFH130N15X3是IXYS公司推出的高性能N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品具备高功率密度、低导通电阻(RDS(on))和较低的栅极电荷(Qg),适用于多种电源管理和电机驱动应用。

    技术参数


    以下是这些产品的关键技术和性能参数:
    - 额定电压(VDSS): 150V
    - 最大漏极电流(ID): 130A
    - 导通电阻(RDS(on)): ≤ 9.0mΩ (在10V门电压下)
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): 2.5V~4.5V
    - 栅极击穿电压(VGD): ±150V
    - 工作温度范围(TJ): -55°C ~ +150°C
    - 热阻(RthJC): 0.32°C/W
    - 热存储温度(Tstg): -55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:确保产品具有较高的可靠性和易于集成到各种电路设计中。
    - 低RDS(on)和QG:降低损耗,提高效率。
    - 雪崩耐受能力:增加产品在极端条件下的可靠性。
    - 低封装电感:减小寄生效应,提高开关性能。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET特别适用于以下领域:
    - 开关模式和共振模式电源:如DC-DC转换器、PFC电路等。
    - 电机驱动:适用于AC和DC电机驱动及机器人伺服控制。

    使用时应注意散热管理,特别是在大电流应用中。建议使用良好的散热片以确保安全的工作温度范围。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:TO-220、TO-247和TO-263三种不同封装,便于灵活选择。
    - 技术支持:提供详细的文档和技术支持,确保用户能够顺利应用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中出现过高的损耗怎么办?
    - A: 检查是否选择了合适的RDS(on),并适当增加散热措施。

    - Q: 如何确定最大工作电流?
    - A: 参考额定电流值,并结合具体应用场景进行合理估算。

    总结和推荐


    这些MOSFET凭借其出色的性能和广泛的适用范围,在电源管理和电机驱动领域具有明显优势。如果您的设计需要高效率、可靠的开关控制,这些产品将是理想的选择。强烈推荐在相关项目中使用。

IXFH130N15X3参数

参数
栅极电荷 80nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 130A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 65A,10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.23nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 390W(Tc)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH130N15X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH130N15X3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH130N15X3 IXFH130N15X3数据手册

IXFH130N15X3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 68.8135
900+ ¥ 66.42
1350+ ¥ 65.2233
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起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
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