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IXTX210P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.04KW(Tc) 15V 4.5V@ 250µA 740nC@ 10 V 1个P沟道 100V 7.5mΩ@ 105A,10V 210A 69.5nF@25V PLUS-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: 747-IXTX210P10T
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTX210P10T

IXTX210P10T概述


    产品简介


    IXTK210P10T 和 IXTX210P10T 电子元器件
    IXTK210P10T 和 IXTX210P10T 是由 IXYS 公司生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件采用国际标准封装,具有高电流处理能力和雪崩额定值,适合应用于多种高要求的电力电子系统中。这些 MOSFET 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,使得它们在电源转换、电机控制和电池充电等应用中表现出色。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):-100 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \):连续 \(\pm 15\) V,瞬态 \(\pm 25\) V
    - 最大漏电流 \( ID \):\( -210 \) A (芯片能力)
    - 峰值漏电流 \( I{LRMS} \):\( -160 \) A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):\( -800 \) A
    - 外部引线电流限值 \( IA \):\( -100 \) A
    - 二极管雪崩能量 \( EAS \):3 J
    - 最大结温 \( TJ \):\(-55 \) 至 \( +150 \) °C
    - 最大结温极限 \( T{JMax} \):\( 150 \) °C
    - 存储温度范围 \( T{Stg} \):\(-55 \) 至 \( +150 \) °C
    - 焊接温度 \( TL \):1.6 mm (0.062 in.) 处,10 秒内为 \( 300 \) °C
    - 焊接温度 (塑料体) \( T{Sold} \):10 秒内为 \( 260 \) °C
    特性值
    - 击穿电压 \( BVDSS \):-100 V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):-2.5 至 -4.5 V
    - 栅源饱和电流 \( I{GSS} \):±200 nA
    - 雪崩雪崩电流 \( I{DSS} \):-25 μA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):\( 7.5 \) mΩ(\( V{GS} = -10V \),\( ID = 0.5 \cdot I{D25} \))

    产品特点和优势


    特点
    - 国际标准封装
    - 高电流处理能力
    - 雪崩额定值
    - 扩展的额定安全工作区(FBSOA)
    - 快速内在二极管
    - 低导通电阻和栅极电荷
    优势
    - 安装简便
    - 空间节省
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高边开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 自动测试设备
    - 电流调节器
    - 电池充电应用
    使用建议
    1. 高边开关应用:在高边开关设计中,确保驱动电路能够提供足够的栅极电压以可靠导通。
    2. 推挽放大器:在推挽放大器设计中,注意 MOSFET 的开关速度和导通电阻,选择合适的栅极电阻来优化整体性能。
    3. 直流斩波器:在高频斩波应用中,选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXTK210P10T 和 IXTX210P10T 均符合国际标准封装,可与其他相同封装的元器件互换。
    - 支持:IXYS 提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决在应用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答:根据具体的应用需求和电路条件选择栅极电阻。通常可以通过试错法或仿真软件确定最佳栅极电阻值。
    2. 问:如何降低开关损耗?
    - 答:降低开关损耗可以通过优化栅极电阻、减小寄生电感和提高散热效果实现。
    3. 问:如何正确安装器件?
    - 答:确保器件与散热器紧密接触,使用正确的安装力矩进行安装。

    总结和推荐


    IXTK210P10T 和 IXTX210P10T 在高电流处理能力和低导通电阻方面表现优异,非常适合用于各种电力电子系统。其简便的安装方式和高功率密度使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐使用这些器件,在设计高性能电力电子系统时可以考虑这些产品。

IXTX210P10T参数

参数
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ@ 105A,10V
栅极电荷 740nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 15V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 69.5nF@25V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 210A
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 PLUS-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTX210P10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTX210P10T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTX210P10T IXTX210P10T数据手册

IXTX210P10T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 31.614 ¥ 267.1383
10+ $ 31.0284 ¥ 262.19
30+ $ 21.1356 ¥ 178.5958
60+ $ 21.1248 ¥ 178.5046
120+ $ 20.265 ¥ 171.2393
库存: 238
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