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IXFX38N80Q2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 735W(Tc) 30V 4.5V@8mA 190nC@ 10 V 1个N沟道 800V 220mΩ@ 19A,10V 38A 8.34nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFX38N80Q2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2概述


    产品简介


    HiPerFETTM Power MOSFETs(Q2-Class)是IXYS公司推出的一种高性能N沟道增强型MOSFET。这种MOSFET特别适合高功率应用,具备低通态电阻(RDS(on))、高雪崩耐量及快速开关速度等特点。它们被广泛应用于电源管理、电机控制、工业自动化和电动汽车等领域。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):800 V(25°C到150°C)
    - VDGR(漏栅电压):800 V(25°C到150°C;RGS = 1 MΩ)
    - VGS(栅源电压):±30 V(连续),±40 V(瞬时)
    - ID25(25°C下的漏电流):38 A
    - IDM(峰值漏电流):150 A
    - IAR(雪崩电流):38 A
    - EAR(雪崩能量):75 mJ
    - PD(功耗):735 W(25°C)
    - 特性值
    - VDS(th)(阈值电压):2.0 V 至 4.5 V
    - RDS(on)(通态电阻):220 mΩ(VGS = 10 V,ID = 0.5 × ID25)
    - gf(s)(跨导):25 S 至 37 S
    - Ciss(输入电容):8340 pF
    - Coss(输出电容):890 pF
    - Crss(反向传输电容):175 pF
    - t(d(on))(导通延迟时间):20 ns
    - tr(上升时间):16 ns
    - t(d(off))(关断延迟时间):60 ns
    - RthJC(结壳热阻):0.17 K/W

    产品特点和优势


    - 双金属工艺:降低栅极电阻,提高效率。
    - 国际标准封装:适用于各种应用环境。
    - 环氧材料:符合UL 94 V-0标准,具有良好的阻燃性能。
    - 高雪崩能量和电流等级:增强耐用性。
    - 快速固态二极管:减少开关损耗。
    - miniBLOC封装版本:采用氮化铝隔离,节省空间并提高热性能。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:此MOSFET非常适合用于高频逆变器、电机驱动和电源转换器中。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,应确保MOSFET工作在规定的温度范围内,并避免超过最大额定值。此外,合理布局电路板以减少寄生电感和电容也非常重要。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品采用标准封装,如TO-264和SOT-227B,可方便地与其他标准组件兼容。
    - 支持:IXYS公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、设计指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求,选择适当的栅极电阻以确保MOSFET在安全工作区域内运行。

    - 问题2:在高温环境下如何确保性能稳定?
    - 解决方案:确保散热良好,并在设计时考虑增加散热片或其他冷却装置。

    总结和推荐


    HiPerFETTM Power MOSFETs(Q2-Class)是一款高性能的MOSFET,具备高可靠性、快速开关速度和高能效的特点。适用于多种高功率应用,如电机控制和电源转换器。推荐给需要高性能MOSFET的应用开发工程师。总体而言,它是一款值得信赖且在市场上具有较强竞争力的产品。

IXFX38N80Q2参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.34nF@25V
最大功率耗散 735W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 190nC@ 10 V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 38A
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 19A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX38N80Q2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX38N80Q2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX38N80Q2 IXFX38N80Q2数据手册

IXFX38N80Q2封装设计

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