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IXFB40N110Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.56KW(Tc) 30V 6.5V@8mA 300nC@ 10 V 1个N沟道 1.1KV 260mΩ@ 20A,10V 40A 14nF@25V PLUS-264-3 通孔安装
供应商型号: IXFB40N110Q3
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFB40N110Q3

IXFB40N110Q3概述

    # 电子元器件产品技术手册:IXFB40N110Q3 MOSFET

    产品简介


    IXFB40N110Q3 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,由 IXYS 公司生产。它具有快速固有整流器、低栅极电阻和低寄生电感等特点,适用于各种高功率密度应用场合。这款 MOSFET 主要应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、温度和照明控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(漏源电压) | - | 1100V | 1100V |
    | VDGR(栅极电阻电压) | - | 1100V | 1100V |
    | VGSS(栅极连续电压) | ±30V | - | ±30V |
    | VGSM(栅极瞬态电压) | ±40V | - | ±40V |
    | ID25(在 25°C 下的最大漏电流) | - | 40A | 40A |
    | IDM(最大脉冲漏电流) | - | 100A | 100A |
    | IA(瞬态电流) | - | 40A | 40A |
    | EAS(单脉冲能量吸收) | - | 4J | 4J |
    | dv/dt(开关速率限制) | - | 50V/ns | 50V/ns |
    | PD(最大耗散功率) | - | 1560W | 1560W |
    | TJ(工作结温) | -55°C | - | +150°C |
    | TJM(最大结温) | - | 150°C | 150°C |
    | Tstg(存储温度范围) | -55°C | - | +150°C |
    | TL(焊接时的最大引脚温度) | - | 300°C | 300°C |
    | TSOLD(从外壳到焊接点的最高温度) | - | 260°C | 260°C |

    产品特点和优势


    IXFB40N110Q3 具备以下特点和优势:
    - 低固有栅极电阻:提高了驱动效率。
    - 低封装电感:减少了寄生电感的影响。
    - 快速固有整流器:实现了高效的整流过程。
    - 低 RDS(on) 和 QG:有助于降低导通损耗,提高能效。
    - 高功率密度:适用于紧凑型设计。
    - 易于安装:简化了组装过程。
    - 节省空间:适合高集成度电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC 转换器:利用其高效能的优势,实现稳定的电压转换。
    - 电池充电器:提高充电效率,缩短充电时间。
    - 开关模式电源:适用于需要高可靠性的工业应用。
    - 温度和照明控制:利用其快速响应特性,实现精确控制。
    使用建议
    - 优化散热设计:考虑到其高耗散功率,需确保良好的散热设计。
    - 合理选择驱动电路:选用适当的驱动电压以确保最佳性能。
    - 保护措施:在实际应用中,应考虑加入过流、过压保护措施。

    兼容性和支持


    IXFB40N110Q3 MOSFET 支持多种电气标准和应用要求,可与其他标准接口和电路板进行良好兼容。厂商提供详细的技术支持,包括产品文档、应用指南及售后服务,以帮助用户顺利完成项目。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温下性能下降
    - 解决方案:使用散热片或其他冷却方法,改善散热条件。
    2. 问题:开启时间长
    - 解决方案:增加栅极电阻以优化开关速度。
    3. 问题:噪声干扰
    - 解决方案:使用屏蔽线缆和滤波器减少电磁干扰。

    总结和推荐


    IXFB40N110Q3 MOSFET 以其高效能、高可靠性及灵活的应用场景脱颖而出。它不仅能够满足不同应用场景的需求,还能通过简单的设计实现优化。对于需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师而言,IXFB40N110Q3 是一个值得推荐的选择。在进行实际应用时,建议关注散热和驱动电路设计,以充分发挥其性能优势。

IXFB40N110Q3参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 20A,10V
栅极电荷 300nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 1.1KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14nF@25V
最大功率耗散 1.56KW(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@8mA
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
通用封装 PLUS-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFB40N110Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFB40N110Q3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFB40N110Q3 IXFB40N110Q3数据手册

IXFB40N110Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 331.8805
600+ ¥ 320.3368
900+ ¥ 314.565
库存: 2425
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