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IXTT170N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 715W(Tc) 20V 5V@ 250µA 198nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9mΩ@ 500mA,10V 170A 6nF@25V TO-268AA 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: 3438438
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT170N10P

IXTT170N10P概述


    产品简介


    IXYS Corporation 的 IXTT170N10P、IXTQ170N10P 和 IXTK170N10P 是一款适用于开关电源和共振模式电源的高性能N沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET)。这些产品具有国际标准封装,设计用于各种高功率密度应用,如激光驱动器、直流到直流转换器、交流和直流电机驱动器、机器人及伺服控制系统等。其低导通电阻(RDS(on))和快速内在整流器使得其在电力电子领域表现优异。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS):100 V
    - 连续漏极电流(ID):170 A
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 9 mΩ
    - 最大栅源电压(VGSS):± 20 V
    - 脉冲栅源电压(VGSM):± 30 V
    - 连续外部引线电流限制(IL(RMS)):160 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):350 A
    - 雪崩耐量(EAS):2 J
    - 最大结温(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 热阻(RthJC):0.21 °C/W (TO-3P), 0.15 °C/W (TO-264)
    - 输入电容(Ciss):6000 pF
    - 开关时间(td(on)、tr、td(off)、tf):分别为 35 ns、50 ns、90 ns 和 33 ns

    产品特点和优势


    - 高速度:具备快速的开关特性,适合高频应用。
    - 低电阻:低RDS(on)有助于减少导通损耗。
    - 集成性:易于安装,具有国际标准封装。
    - 可靠性:通过雪崩耐量测试,保证了高可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源模块和逆变器:在需要高效能量转换的系统中表现出色。
    - 驱动电路:可用于驱动直流和交流电机。
    - 激光驱动器:提供稳定高效的电源管理。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 考虑使用适当的门极驱动器来优化开关速度和效率。
    - 在设计电路时,注意匹配合适的工作频率,以充分利用其开关特性的优势。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与大多数现代控制IC和驱动器兼容,可广泛应用于各种电力电子设备。IXYS提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户在使用过程中解决各种问题。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 设备发热严重,如何解决?
    - A1: 确保良好的散热设计,增加散热片或采用散热膏以提高热传导效率。

    - Q2: 开关过程中噪音大,怎么处理?
    - A2: 检查门极驱动器的设计,确认其能够提供足够的驱动电流和电压摆幅,以确保快速和稳定的开关操作。

    总结和推荐


    IXYS的IXTT170N10P、IXTQ170N10P 和 IXTK170N10P 是一款高性能的MOSFET,具有出色的开关速度和低导通电阻。适用于多种电力电子应用。其易于安装、高可靠性和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐在需要高效、可靠电源管理的应用中使用这些产品。

IXTT170N10P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 198nC@ 10 V
最大功率耗散 715W(Tc)
通道数量 1
配置 独立式
Id-连续漏极电流 170A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT170N10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT170N10P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT170N10P IXTT170N10P数据手册

IXTT170N10P封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 71.4931
5+ ¥ 68.6334
10+ ¥ 62.9139
50+ ¥ 62.9139
100+ ¥ 61.7701
250+ ¥ 61.7701
库存: 61
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