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IXFQ140N20X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 20V 4.5V@4mA 127nC@ 10 V 1个N沟道 200V 9.6mΩ@ 70A,10V 140A 7.66nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFQ140N20X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFQ140N20X3

IXFQ140N20X3概述

    IXFT140N20X3HV 和 IXFQ140N20X3 技术手册

    产品简介


    IXFT140N20X3HV、IXFQ140N20X3 和 IXFH140N20X3 是 IXYS 公司生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件主要应用于开关电源、直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制等领域。它们是增强型 N 沟道 MOSFET,具有高功率密度和低导通电阻的特点。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS (断态电压) 200 V |
    | ID25 (25°C 条件下的漏极电流) 140 A |
    | RDS(on) (导通电阻) 9.6 mΩ |
    | BVDSS (雪崩击穿电压) | 200 V |
    | VGS(th) (阈值电压) | 2.5 | 4.5 V |
    | Qg(on) (开启电荷) 127 nC |
    | Ciss (输入电容) 7660 pF |
    | RDS(on) vs. TJ (温度影响) 2.4 - |

    产品特点和优势


    1. 国际标准封装:这些器件符合国际标准封装,易于集成到现有的设计中。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 低至 9.6mΩ,有助于降低功耗并提高效率。
    3. 低栅极电荷:Qg(on) 为 127nC,减少了开关损耗,提高了开关速度。
    4. 封装寄生电感低:降低寄生电感,减少电磁干扰(EMI)。
    5. 高功率密度:在有限的空间内实现更高的功率处理能力。
    6. 易安装:方便的安装设计简化了装配过程。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 器件广泛应用于开关电源、直流转换器和功率因数校正电路中。例如,在一个开关电源设计中,IXFT140N20X3HV 可以作为主控 MOSFET,负责高频开关操作。建议在设计中考虑散热措施,确保良好的热管理。对于高电流应用,可以通过并联多个器件来分散电流负载,从而提高可靠性。

    兼容性和支持


    这些器件与其他标准 MOSFET 封装兼容,如 TO-268HV、TO-247 和 TO-3P。IXYS 公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户进行产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电压?
    解决方案:根据 datasheet 中的 VGS(th) 参数选择适当的驱动电压,通常建议在 VGS = 10V 左右。

    2. 问题:如何改善散热性能?
    解决方案:可以使用高效的散热片和风扇进行主动冷却,或者在设计中加入热管以改善热传导。

    总结和推荐


    IXFT140N20X3HV 和 IXFQ140N20X3 是非常优秀的功率 MOSFET 器件,适用于多种电力电子应用。其高功率密度、低导通电阻和易安装的特点使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效电力转换的应用中使用这些器件。

IXFQ140N20X3参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9.6mΩ@ 70A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.66nF@25V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 520W(Tc)
栅极电荷 127nC@ 10 V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 140A
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFQ140N20X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFQ140N20X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3数据手册

IXFQ140N20X3封装设计

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