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IXTP48N20TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 250W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 60nC@ 10 V 1个N沟道 200V 50mΩ@ 24A,10V 48A 3.09nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: IXTP48N20TM
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP48N20TM

IXTP48N20TM概述

    IXTA48N20T/IXTP48N20T/IXTQ48N20T TrenchTM Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTA48N20T/IXTP48N20T/IXTQ48N20T 是 IXYS 公司生产的三款 N 沟道增强型 TrenchTM 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们具有高电流处理能力、雪崩耐受性、快速内在二极管、低导通电阻等特点。这些 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、交流电机驱动、不间断电源和高速功率开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 典型值 | 最小值 |

    | VDSS (漏源电压) | 200 V | — | — |
    | ID25 (25℃时的漏极电流) | 48 A | — | — |
    | RDS(on) (导通电阻) | — | 50 mΩ | 40 mΩ |
    | BVDSS (栅源击穿电压) | — | 200 V | — |
    | VGS(th) (栅阈值电压) | — | 2.5 V | 4.5 V |
    | gfs (跨导) | — | 26 S | — |
    | Ciss (输入电容) | — | 3090 pF | — |
    | Crss (栅漏电容) | — | 40 pF | — |
    | td(on) (导通延迟时间) | — | 20 ns | — |
    | tr (上升时间) | — | 26 ns | — |
    | td(off) (关断延迟时间) | — | 46 ns | — |
    | tf (下降时间) | — | 28 ns | — |

    产品特点和优势


    1. 高电流处理能力:能够承受高达 48 A 的漏极电流。
    2. 雪崩耐受性:确保在高压环境下稳定运行。
    3. 快速内在二极管:提升转换效率。
    4. 低导通电阻:提高能效并减少功耗。
    5. 易安装性:适合各种应用环境。
    6. 空间节省:设计紧凑,占用空间少。
    7. 高功率密度:可在有限的空间内提供更高的功率输出。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 可广泛应用于各种电源管理和电机控制场景。例如,在 DC-DC 转换器中,它们可以提高转换效率并减少发热;在电池充电器中,它们可以提供稳定的电流控制。使用建议包括:
    - 确保正确的栅极驱动电压以优化导通电阻。
    - 在高电流和高温度环境中使用时,注意散热管理。
    - 结合外部栅极电阻,可以进一步优化开关时间。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 适用于 TO-263、TO-220 和 TO-3P 封装形式,方便与不同的电路板进行焊接。IXYS 公司提供了全面的技术支持和售后维护服务,确保客户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中发热过多
    - 解决方法:优化散热设计,增加散热片或风扇。
    2. 问题:栅极电压不稳定
    - 解决方法:确保栅极驱动电路的设计合理,避免电压波动。
    3. 问题:导通电阻过高
    - 解决方法:检查工作温度和驱动条件,确保满足 MOSFET 的额定要求。

    总结和推荐


    IXTA48N20T/IXTP48N20T/IXTQ48N20T TrenchTM 功率 MOSFET 具有高电流处理能力、雪崩耐受性、快速内在二极管和低导通电阻等显著优点。其易于安装、空间节省和高功率密度的特点使其成为多种应用的理想选择。因此,强烈推荐这些 MOSFET 在需要高效、可靠电力转换的场景中使用。

IXTP48N20TM参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 60nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 48A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 24A,10V
配置 独立式
最大功率耗散 250W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.09nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP48N20TM厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP48N20TM数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP48N20TM IXTP48N20TM数据手册

IXTP48N20TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 18.9232
2000+ ¥ 18.265
3000+ ¥ 17.9359
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