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IXTT82N25P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 20V 5V@ 250µA 142nC@ 10 V 1个N沟道 250V 35mΩ@ 41A,10V 82A 4.8nF@25V TO-268AA 贴片安装 14mm*16.05mm*5.1mm
供应商型号: ZT-IXTT82N25P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT82N25P

IXTT82N25P概述

    # IXYS PolarTM Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS PolarTM Power MOSFET 是一种高性能的N沟道增强模式功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高电流和高电压的应用场合。它具有快速固态整流器、雪崩耐受性、低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)等特点,是现代电源管理的理想选择。主要应用领域包括开关模式电源、谐振模式电源、DC-DC转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动器、机器人及伺服控制系统等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) |
    ||
    | VDSS (击穿电压) | 250 V 250 V |
    | VGS(th) (阈值电压) | 2.5 V | 4.0 V | 5.0 V |
    | ID (连续漏极电流) | 82 A
    | PD (耗散功率) 500 W
    | TJ (工作温度) | -55°C | 25°C | 150°C |
    | TL (焊接时的最大引脚温度) | 300°C
    电气特性
    | 参数 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) |
    ||
    | gfs (互导) | 30 S | 52 S
    | Ciss (输入电容) | 4800 pF
    | Crss (反向转移电容) | 210 pF
    | td(on) (导通延时) | 29 ns
    | tf (关断延时) | 22 ns
    | Qg(on) (总栅极电荷) | 142 nC

    产品特点和优势


    IXYS PolarTM Power MOSFET 的主要特点和优势如下:
    1. 快速固态整流器:提供高效的能量转换。
    2. 雪崩耐受性:具备更强的可靠性。
    3. 低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG):提高能效,减少热量产生。
    4. 低封装电感:提高开关速度和效率。
    5. 高功率密度:适合紧凑型设计。
    6. 易于安装:简化制造流程。
    7. 节省空间:适用于空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关模式电源:用于电源适配器、充电器等设备。
    2. DC-DC转换器:用于汽车电子系统、通信设备等。
    3. 激光驱动器:适用于光学仪器、医疗设备等。
    使用建议
    1. 在设计应用电路时,确保考虑温度范围和散热需求。
    2. 考虑电源开关频率和负载特性来选择合适的栅极电阻(RG)。
    3. 为提高可靠性,可在关键位置添加保护二极管或稳压电路。

    兼容性和支持


    IXYS PolarTM Power MOSFET 可与各种标准电路板设计兼容,且与其他厂商的产品具有良好的兼容性。IXYS 提供详细的技术支持文档和在线支持服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:安装过程中出现过热现象
    - 解决方案:检查安装环境温度,增加散热措施,如散热片或散热风扇。

    2. 问题:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查负载情况,确保输入电压稳定,必要时调整栅极电阻(RG)。

    3. 问题:高频噪声干扰
    - 解决方案:使用屏蔽线缆,增加滤波电容,降低噪声干扰。

    总结和推荐


    IXYS PolarTM Power MOSFET 是一款性能卓越的N沟道增强模式功率场效应晶体管,具有低导通电阻、快速响应时间和良好的雪崩耐受性,特别适用于需要高功率密度和可靠性的应用场合。综合来看,这款产品在市场上具有较高的竞争力,是值得推荐的选择。

IXTT82N25P参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 41A,10V
栅极电荷 142nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.8nF@25V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 82A
Vds-漏源极击穿电压 250V
最大功率耗散 500W(Tc)
长*宽*高 14mm*16.05mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT82N25P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT82N25P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT82N25P IXTT82N25P数据手册

IXTT82N25P封装设计

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