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APM2301AAC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: SHIKUES/台湾时科
产品描述: 120mΩ@ 4.5V,3A 3A SC-59
供应商型号: APM2301AACSC-59
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
SHIKUES/台湾时科 场效应管(MOSFET) APM2301AAC

APM2301AAC概述

    P-Channel Enhancement Mode MOSFET (SC-59)

    产品简介


    SC-59 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,专为电源管理和便携式设备设计。其主要功能包括极低的导通电阻(RDS(ON))和高密度单元设计,使其在各种负载条件下均能提供出色的性能。SC-59 主要应用于便携设备和电池供电系统,是现代电子设备中不可或缺的关键组件。

    技术参数


    以下是 SC-59 的关键技术和电气特性:
    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为 -20V。
    - 电流能力:最大连续漏电流(ID)为 -3A。
    - 导通电阻:
    - 在 VGS = -4.5V 时,最大 RDS(ON) 为 120mΩ。
    - 在 VGS = -2.5V 时,最大 RDS(ON) 为 150mΩ。
    - 绝对最大额定值:在 TA = 25℃ 时,栅源电压(VGS)为 ±10V。
    - 温度范围:在 Tj = 25℃ 至 150℃ 范围内,MOSFET 可保持其性能。

    产品特点和优势


    1. 极低的导通电阻:SC-59 具有非常低的 RDS(ON),特别是在 VGS = -4.5V 和 -2.5V 时分别仅有 120mΩ 和 150mΩ。这使得其在电源转换效率上具有显著优势。
    2. 高密度单元设计:采用高密度单元结构设计,进一步降低了导通电阻,提高了工作效率。
    3. 坚固耐用:SC-59 具有良好的稳定性和可靠性,能在严苛的工作环境中保持优异的性能。
    4. 表面贴装封装:SC-59 采用 SC-59 封装,便于 SMT 贴片工艺,适用于大批量生产。

    应用案例和使用建议


    SC-59 广泛应用于以下领域:
    - 电源管理:例如电池充电器和直流到直流转换器。
    - 便携设备:例如智能手机和平板电脑中的电源管理系统。
    - 电池供电系统:如医疗设备和便携式工具。
    使用建议:
    1. 工作温度控制:虽然 SC-59 可以在高达 150℃ 的结温下工作,但为了确保长期可靠性,建议将工作温度控制在 25℃ 至 100℃ 范围内。
    2. 电路设计考虑:设计电路时应特别注意 MOSFET 的栅极驱动电压,确保其不超过 ±10V。
    3. 散热措施:对于大功率应用,建议采取有效的散热措施,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    SC-59 与多种电子设备和模块兼容,适用于不同的应用场景。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的产品文档、参考设计和售后支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 温度过高。
    解决方案:增加散热器或优化电路布局,确保良好的热管理。
    2. 问题:导通电阻异常高。
    解决方案:检查栅极驱动电压是否在规定范围内,并确保正确的 VGS 设置。
    3. 问题:MOSFET 寿命短。
    解决方案:检查工作条件,避免过载和高温运行,并采取适当的保护措施。

    总结和推荐


    SC-59 P 沟道增强型 MOSFET 是一款高性能的电源管理组件,尤其适用于便携式设备和电池供电系统。其极低的导通电阻、坚固耐用的特性以及高效的温度管理使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐此产品用于需要高效电源管理的应用场景。
    总之,SC-59 凭借其出色的电气性能、可靠性和广泛的适用性,在众多同类产品中脱颖而出,是一款值得信赖的选择。

APM2301AAC参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 4.5V,3A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 3A
通用封装 SC-59

APM2301AAC数据手册

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APM2301AAC封装设计

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