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IS43TR16128DL-107MBLI

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述: 256MB 128Mx16 1.283V 216mA 1.45V 933MHz Parallel 16bit BGA-96 贴片安装
供应商型号: 14M-IS43TR16128DL-107MBLI
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) IS43TR16128DL-107MBLI

IS43TR16128DL-107MBLI概述

    高质量文章:IS43/46TR16128D/IS43/46TR82560D DDR3 SDRAM 技术手册

    产品简介


    IS43/46TR16128D 和 IS43/46TR82560D 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的 DDR3 SDRAM 电子元器件,广泛应用于多种高速计算和数据存储需求的系统中。这些产品提供了多种配置,包括256Mx8和128Mx16两种内存密度,可满足不同应用场景的需求。

    技术参数


    - 标准电压: VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
    - 低电压(L): VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V,向后兼容1.5V
    - 数据传输速率: 系统频率高达1066 MHz
    - 内部银行数量: 8个,用于并发操作
    - 预取架构: 8位预取
    - 可编程CAS延迟
    - 可编程添加延迟: 0, CL-1, CL-2
    - 可编程CAS写入延迟: 基于tCK
    - 可编程突发长度: 4和8
    - 可编程突发序列: 顺序或交错
    - BL切换: 在线
    - 自动自刷新(ASR)
    - 自刷新温度(SRT)
    - 刷新间隔:
    - 7.8 µs (8192次/64 ms) Tc = -40°C 至 85°C
    - 3.9 µs (8192次/32 ms) Tc = 85°C 至 105°C
    - 1.95 µs (8192次/16 ms) Tc = 105°C 至 115°C
    - 0.97 µs (8192次/8 ms) Tc = 115°C 至 125°C
    - 部分数组自刷新(Partial Array Self Refresh)
    - 异步复位引脚
    - TDQS支持 (仅限x8)
    - OCD支持
    - 动态ODT支持
    - 驱动强度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)
    - 写补偿
    - 最高频率: DLL关闭模式下可达200 MHz
    - 工作温度范围:
    - 商业级 (TC = 0°C 至 +95°C)
    - 工业级 (TC = -40°C 至 +95°C)
    - 汽车级A1 (TC = -40°C 至 +95°C)
    - 汽车级A2 (TC = -40°C 至 +105°C)
    - 汽车级A25 (TC = -40°C 至 +115°C)
    - 汽车级A3 (TC = -40°C 至 +125°C)

    产品特点和优势


    这些DDR3 SDRAM具有多个独特的功能和优势,使其在应用中表现出色:
    - 高速数据传输: 支持高达1066 MHz的数据传输速率,适用于高性能计算系统。
    - 8n位预取架构: 提高了数据处理速度和效率。
    - 多种刷新模式: 如自动自刷新和部分数组自刷新,确保内存稳定性。
    - 广泛的温度适应性: 能够在广泛的温度范围内稳定运行,适用于工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    这些DDR3 SDRAM广泛应用于高性能计算系统、服务器、工作站和车载电子系统。例如,在高性能服务器中,这些SDRAM能够提供极高的数据处理速度和稳定性,提高系统的整体性能。对于汽车应用,其能够在极端环境下保持稳定运行,是车载电子系统不可或缺的一部分。
    建议用户在使用时确保电源电压稳定,特别是在启动和初始化过程中,严格按照手册中的步骤进行操作,以确保最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    这些产品提供了多种封装选项,包括78球BGA(9mm x 13mm)和96球BGA(8mm x 10.5mm),适用于x8和x16配置。此外,ISSI提供了详尽的技术支持和文档资源,帮助用户更好地理解和应用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 电源不稳定导致初始化失败:
    - 解决方案: 确保电源电压稳定,遵循手册中的启动和初始化步骤。

    2. 初始化失败:
    - 解决方案: 检查所有输入引脚的状态,确保符合初始化要求。

    3. 刷新间隔设置不当导致数据丢失:
    - 解决方案: 调整刷新间隔设置,确保符合特定的应用需求。

    总结和推荐


    IS43/46TR16128D 和 IS43/46TR82560D 是高性能DDR3 SDRAM的理想选择,适用于需要高速数据处理和稳定性的各种应用场合。其卓越的性能和广泛的工作温度范围使其在工业和汽车电子领域尤为适用。总体而言,我们强烈推荐这些产品给对高性能和高可靠性的应用有需求的用户。

IS43TR16128DL-107MBLI参数

参数
存储容量 256MB
最大供电电流 216mA
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
通用封装 BGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

IS43TR16128DL-107MBLI厂商介绍

Integrated Silicon Solution(ISS)是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和制造高性能的模拟、混合信号和数字集成电路。公司的产品广泛应用于多个领域,包括工业、汽车、医疗、通信和消费电子等。

主营产品分类:
1. 电源管理:包括电源转换器、电源监控器和电池管理芯片。
2. 接口:包括USB、以太网、串行通信接口等。
3. 传感器:包括温度、湿度、压力等传感器。
4. 音频/视频:包括音频放大器、视频处理器等。
5. 微控制器:包括8位、16位和32位微控制器。

应用领域:
1. 工业自动化:如电机控制、传感器接口等。
2. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、安全系统等。
3. 医疗设备:如病人监护仪、诊断设备等。
4. 通信设备:如基站、路由器、交换机等。
5. 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居等。

Integrated Silicon Solution的优势:
1. 强大的研发能力:拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出创新产品。
2. 高品质产品:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 广泛的应用领域:产品覆盖多个市场,满足不同客户的需求。
4. 良好的客户服务:提供技术支持和定制解决方案,帮助客户实现项目成功。

IS43TR16128DL-107MBLI数据手册

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INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) INTEGRATED SILICON SOLUTION IS43TR16128DL-107MBLI IS43TR16128DL-107MBLI数据手册

IS43TR16128DL-107MBLI封装设计

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