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IS46TR16512B-125KBLA1

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述: 1GB 512Mx16 1.425V 350mA 1.575V 1.6GHz 16bit BGA 贴片安装
供应商型号: AV-S-ISNIS46TR16512B1!B
供应商: Avnet
标准整包数: 136
INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) IS46TR16512B-125KBLA1

IS46TR16512B-125KBLA1概述

    # 高质量文章:DDR3 SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    IS43/46TR16512B、IS43/46TR16512BL、IS43/46TR81024B 和 IS43/46TR81024BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高性能 DDR3 SDRAM 芯片。这些芯片支持多种容量配置,包括 1Gx8 和 512Mx16,总存储容量可达 8Gb。该系列芯片主要应用于需要高带宽和低延迟的场景,例如计算机内存、嵌入式系统和移动设备。
    主要功能:
    - 支持标准电压(1.5V ± 0.075V)及低电压(1.35V ± 0.1V)两种供电模式。
    - 提供高达 1066MHz 的系统频率。
    - 内置 8 个内部银行,支持并发操作。
    - 支持 DDR3-1600K、DDR3-1866M 和 DDR3-2133N 多种速度选项。
    - 支持自刷新、部分阵列自刷新和动态开盖终止(ODT)等功能。
    应用领域:
    - 计算机内存模块
    - 嵌入式系统
    - 移动设备
    - 汽车电子

    2. 技术参数


    以下是关键的技术规格和技术参数:
    | 参数 | 规格 |

    | 存储容量 | 1Gx8(1Gb)、512Mx16(8Gb) |
    | 工作电压 | 标准电压:1.5V ± 0.075V;低电压:1.35V ± 0.1V |
    | 数据传输速率 | 最高可达 1066MHz |
    | 刷新周期 | 7.8µs(8192 周期/64ms),依温度变化而调整 |
    | CAS 延迟 | CL=11、13、14(JEDEC 速度等级) |
    | 环境温度范围 | 商用(0°C 至 +95°C)、工业(-40°C 至 +95°C) |
    | 包装形式 | 78-ball BGA(x8 模式)或 96-ball BGA(x16 模式) |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    1. 高速性能:支持高达 1066MHz 的系统频率,提供优异的数据吞吐能力。
    2. 多银行架构:内置 8 个内部银行,支持并发操作,提升系统性能。
    3. 动态开盖终止(ODT):通过动态调整阻抗,提高信号完整性。
    4. 低功耗设计:支持低电压模式,降低功耗。
    5. 温度适应性强:支持从 -40°C 至 +115°C 的宽温范围。
    优势:
    - 高可靠性:支持自刷新和部分阵列自刷新,确保长时间稳定运行。
    - 灵活性:可通过编程模式寄存器实现灵活的配置,满足多样化需求。
    - 成本效益:支持多种容量和电压配置,适配不同应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 计算机内存模块:用于桌面电脑、笔记本电脑和服务器内存条。
    - 嵌入式系统:为物联网设备、工控设备提供高效存储支持。
    - 移动设备:适用于智能手机和平板电脑,满足高性能需求。
    使用建议:
    1. 选择合适的电压模式:根据系统需求选择标准电压或低电压模式,以优化功耗和性能。
    2. 优化刷新间隔:根据环境温度调整刷新周期,确保数据安全。
    3. 充分利用多银行架构:合理分配任务,避免单个银行过载。
    4. 关注电源管理:确保电源稳定,避免电压波动对性能的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持与主流处理器和控制器的无缝集成。
    - 兼容多种操作系统和开发平台。
    支持:
    - 提供完整的文档和支持材料。
    - 客户技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 确保电源顺序正确,重新执行初始化流程。 |
    | 刷新失败 | 检查刷新定时器设置,调整刷新周期。 |
    | 数据传输错误 | 确认信号完整性,检查信号线路连接。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IS43/46TR16512B 和 IS43/46TR81024B 系列 DDR3 SDRAM 芯片以其卓越的性能、灵活性和可靠性,成为高要求应用场景的理想选择。特别是在高带宽和低延迟需求的场景中表现出色。
    推荐结论:
    强烈推荐该产品用于需要高性能存储的场合,尤其是需要高可靠性和低功耗的应用场景。通过合理的配置和优化,可以充分发挥其潜力,提升整体系统的性能和稳定性。

IS46TR16512B-125KBLA1参数

参数
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 512Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 -
存储容量 1GB
最大供电电流 350mA
最大时钟频率 1.6GHz
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装

IS46TR16512B-125KBLA1厂商介绍

Integrated Silicon Solution(ISS)是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和制造高性能的模拟、混合信号和数字集成电路。公司的产品广泛应用于多个领域,包括工业、汽车、医疗、通信和消费电子等。

主营产品分类:
1. 电源管理:包括电源转换器、电源监控器和电池管理芯片。
2. 接口:包括USB、以太网、串行通信接口等。
3. 传感器:包括温度、湿度、压力等传感器。
4. 音频/视频:包括音频放大器、视频处理器等。
5. 微控制器:包括8位、16位和32位微控制器。

应用领域:
1. 工业自动化:如电机控制、传感器接口等。
2. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、安全系统等。
3. 医疗设备:如病人监护仪、诊断设备等。
4. 通信设备:如基站、路由器、交换机等。
5. 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居等。

Integrated Silicon Solution的优势:
1. 强大的研发能力:拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出创新产品。
2. 高品质产品:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 广泛的应用领域:产品覆盖多个市场,满足不同客户的需求。
4. 良好的客户服务:提供技术支持和定制解决方案,帮助客户实现项目成功。

IS46TR16512B-125KBLA1数据手册

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INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) INTEGRATED SILICON SOLUTION IS46TR16512B-125KBLA1 IS46TR16512B-125KBLA1数据手册

IS46TR16512B-125KBLA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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408+ $ 17.4859 ¥ 154.7502
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