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IR2112PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Driver 600V 0.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
供应商型号: MIK-IR2112PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IR2112PBF

IR2112PBF概述


    产品简介


    IR2112(S) 是一款高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。这款驱动器采用了专利的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,提供坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准的 CMOS 或低功耗 TTL 输出,最低可达到 3.3V 逻辑电平。
    产品类型:MOSFET 和 IGBT 驱动器
    主要功能:适用于高侧和低侧配置的浮置通道设计,支持栅极驱动电源范围 10V 至 20V。
    应用领域:广泛应用于工业控制、电机驱动和电源管理等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VOFFSET 最大值 | 600 | V |
    | 输出电流 IO+/- | 200 / 420 | mA |
    | 驱动电压 VOUT | 10 - 20 | V |
    | 开通延迟时间 (典型值) | 125 | ns |
    | 关断延迟时间 (典型值) | 105 | ns |
    | 转换率 dVs/dt | 50 | V/ns |
    | 逻辑输入电压 VIN | VSS - VDD | V |
    | 环境温度 TA | -40 - 125 | °C |

    产品特点和优势


    产品特点:
    1. 浮置通道设计用于自举操作,确保在高侧配置下的稳定运行。
    2. 全面运行至 +600V,具备对负瞬态电压的耐受能力。
    3. 在高速开关条件下具备 dV/dt 免疫特性。
    4. 逻辑供电范围从 3.3V 到 20V,逻辑和电源地之间的 ±5V 偏移。
    5. 具备 CMOS 施密特触发器输入并带有下拉电阻,以增强信号完整性。
    6. 循环边沿触发关断逻辑,确保系统稳定性。
    7. 输出与输入同相,确保系统响应一致性。
    产品优势:
    - 独特的浮置通道设计使 IR2112(S) 在高电压和高频率应用中表现卓越。
    - 强大的抗干扰能力和高速开关特性使其成为工业控制和电源管理系统的理想选择。
    - 提供出色的热管理和封装选项,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    IR2112(S) 在多个应用场景中表现出色,例如在电动机驱动器、电源转换器和逆变器等系统中。其浮置通道设计非常适合高侧 MOSFET 和 IGBT 的驱动,使得这些器件可以在高电压环境下可靠工作。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,务必遵循手册中的电气连接指南,以确保正确的逻辑和功率地偏移。
    2. 为防止过压损坏,建议使用适当的保护措施,如 TVS 二极管。
    3. 对于需要高频应用的设计,确保使用匹配良好的输入和输出引脚,以减小延迟时间。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,能够适应多种逻辑电平。
    - 支持 3.3V 逻辑电平,便于与其他低电压控制器集成。
    支持:
    - 详细的技术文档和应用笔记可在 IRF 官方网站下载。
    - 提供全面的产品技术支持和售后保障,包括故障排查和定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:逻辑输入电压不正确导致输出不稳定。
    解决方案:确保逻辑输入电压在规定范围内(VSS - VDD),检查接线和电源连接。
    2. 问题:开通和关断延迟时间超出预期。
    解决方案:确认供电电压稳定,减少负载寄生电容的影响。
    3. 问题:浮置通道不能正确驱动 MOSFET。
    解决方案:检查浮置通道的供电和接地连接,确保正确配置自举电容。

    总结和推荐


    综合评估:
    IR2112(S) 是一款高性能、高度可靠的 MOSFET 和 IGBT 驱动器,适用于多种工业应用。其独特的浮置通道设计和高电压耐受能力使其成为高可靠性应用的理想选择。此外,全面的技术支持和详细的文档也大大提升了其易用性。
    推荐使用:
    强烈推荐使用 IR2112(S),特别是在需要高电压和高频率工作的环境中。其出色的性能和广泛的适用性使其成为许多工业控制系统的关键组件。

IR2112PBF参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 PDIP
应用等级 汽车级

IR2112PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IR2112PBF数据手册

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IR2112PBF封装设计

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