处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFS59N10DPBF

IRFS59N10DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W(Ta),200W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 114nC@ 10 V 1个N沟道 100V 25mΩ@ 35.4A,10V 2.45nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号: 2508386743
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS59N10DPBF

IRFS59N10DPBF概述


    产品简介


    IRFB59N10DPbF/IRFS59N10DPbF/IRFSL59N10DPbF 是一种高压开关场效应晶体管(MOSFET),专为高频直流-直流转换器设计。这些器件是高性能的HEXFET功率MOSFET,广泛应用于半桥和全桥DC-DC转换器、全桥逆变器以及不间断电源(UPS)/电机控制逆变器中。

    技术参数


    这些MOSFET的主要技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDSS): 100V
    - 最大连续漏电流 (ID): 59A(VGS=10V)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 236A
    - 最大功率耗散 (PD): 3.8W(TA=25°C)
    - 输入电容 (Ciss): 2450pF
    - 输出电容 (Coss): 3370pF
    - 反向传输电容 (Crss): 190pF
    - 门极到源极电荷 (Qgs): 24nC
    - 门极到漏极电荷 (Qgd): 36nC
    - 关断延迟时间 (td(off)): 20ns
    - 反向恢复时间 (trr): 130ns

    产品特点和优势


    1. 低门极至漏极电荷 (Qgd):有助于减少开关损耗,提升效率。
    2. 全面表征的电容特性:简化设计,特别适用于高频DC-DC转换器。
    3. 全面表征的雪崩电压和电流:确保可靠的性能和高稳定性。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET非常适合用于高频直流-直流转换器和电机控制逆变器。在具体应用中,建议根据负载特性和散热要求选择合适的封装形式(如TO-220AB、TO-262等)。另外,在电路设计时需考虑热管理措施,以保证器件的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    这些器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路板设计中。此外,制造商还提供了详尽的应用指南和技术支持文档,帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:门极驱动电压设置不正确会导致什么问题?
    - 答: 门极驱动电压过高或过低可能导致MOSFET无法正常开启或关闭,增加损耗或导致器件损坏。应按照数据手册推荐的电压范围进行设置。

    2. 问:如何确定合适的散热方案?
    - 答: 根据器件的最大功率耗散和预期的工作环境温度来选择散热器的尺寸和类型。例如,对于TO-220AB封装,推荐使用较大面积的散热器,并涂覆导热硅脂以提高热传导效果。

    总结和推荐


    总体来看,IRFB59N10DPbF/IRFS59N10DPbF/IRFSL59N10DPbF是一款高度可靠且高效的MOSFET,非常适合需要高性能和高效率的应用场合。通过详细的技术参数和应用指南,用户能够轻松地将这些器件集成到他们的设计中。强烈推荐在高频直流-直流转换器和其他类似的电力电子应用中使用这些MOSFET。

IRFS59N10DPBF参数

参数
栅极电荷 114nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.45nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3.8W(Ta),200W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 35.4A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFS59N10DPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS59N10DPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFS59N10DPBF IRFS59N10DPBF数据手册

IRFS59N10DPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 29.6008
25+ ¥ 25.4716
100+ ¥ 21.9663
250+ ¥ 20.681
500+ ¥ 18.8116
库存: 0
起订量: 7 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0