处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFS3107PBF

IRFS3107PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 370W(Tc) 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1个N沟道 75V 3mΩ@ 140A,10V 9.37nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFS3107PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS3107PBF

IRFS3107PBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET(功率MOS场效应管) 是一款高性能的半导体开关器件,主要用于功率管理电路中。该产品以出色的开关速度、低导通电阻和卓越的可靠性著称,广泛应用于各种电子系统中。其主要功能包括:高效同步整流、不间断电源(UPS)、高速功率开关及硬开关和高频电路的设计。典型应用领域包括但不限于开关模式电源(SMPS)、无刷直流电机驱动和电池管理系统。

    2. 技术参数


    以下是产品的主要技术参数和技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS 75 | V |
    | RDS(on) 2.5 | 3.0 | mΩ |
    | ID (Silicon Limited) 230 | A |
    | ID (Package Limited) 195 | A |
    | TJ (Operating Temperature) | -55 +175 | °C |
    此外,产品还具备以下关键性能指标:
    - 最大脉冲漏极电流:195A
    - 最大脉冲栅源电压:±20V
    - 静态热阻:RθJC = 0.40°C/W,RθJA (PCB安装) = 40°C/W
    - 内部寄生电容:Ciss = 9370pF,Coss = 840pF,Crss = 580pF

    3. 产品特点和优势


    HEXFET Power MOSFET 具备多项显著优势:
    - 高能效:具备非常低的导通电阻(RDS(on)),从而大幅降低功耗并提升系统效率。
    - 抗浪涌能力:经过全面测试的雪崩耐受能力和动态dV/dt表现。
    - 快速恢复二极管:改进了反向恢复特性,具备更强的dV/dt和dI/dt耐受能力。
    - 无铅设计:完全符合环保标准。
    - 高可靠性:提供更长的使用寿命和更好的系统稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件被广泛应用于以下领域:
    - 高效能同步整流器:可显著提高开关模式电源(SMPS)的效率。
    - 工业UPS系统:为关键任务系统提供不间断电源支持。
    - 逆变器和变频器:适合在高频、高压环境中运行。
    使用建议:
    - 在设计高频开关电路时,确保电路布局能够有效减少寄生电感和寄生电容的影响。
    - 采用PCB散热设计时,应尽量靠近器件引脚放置散热区域,并使用大面积覆铜以增强散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本器件具有较强的通用性,可以与多种标准封装(如D2PAK和TO-262)无缝集成,便于与其他电子元器件配合使用。
    - 技术支持:厂商提供了详尽的应用指南(例如应用笔记AN-994),帮助用户优化设计和排除故障。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保栅极驱动电压(VGS)达到额定值(如10V)。 |
    | 温度过热 | 改进散热设计,增大PCB面积或增加散热片。 |
    | 开关损耗高 | 调整栅极电阻(RG)值以改善开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    综合来看,HEXFET Power MOSFET 是一款性能卓越、应用广泛的功率管理器件,特别适合对效率要求极高的现代电力电子应用。其低导通电阻、强抗浪涌能力和快速开关响应使它在市场上具备强大的竞争力。
    推荐使用场景:需要高效率、高可靠性的工业级应用,特别是在要求紧凑设计和低能耗的场景下表现出色。
    最终结论:强烈推荐使用此产品,尤其对于追求高性能、低成本解决方案的工程师而言。

IRFS3107PBF参数

参数
栅极电荷 240nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 140A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.37nF@50V
最大功率耗散 370W(Tc)
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 75V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFS3107PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS3107PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFS3107PBF IRFS3107PBF数据手册

IRFS3107PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.891 ¥ 175.0666
库存: 475
起订量: 32 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 175.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336