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IRF2807STRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 26.5W 20V 3.5V@ 150uA 1个N沟道 700V 360mΩ@ 10V,3A 12.5A 3.82nF D2PAK 贴片安装
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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF概述

    # IRF2807S/IRF2807L HEXFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF2807S 和 IRF2807L 是国际整流器公司(International Rectifier)推出的高性能 HEXFET® 功率 MOSFET 系列产品,广泛应用于各种功率转换电路中。这些产品结合了先进的加工技术和极低的导通电阻,使其成为高效能、高可靠性的功率管理元件。产品采用 D2Pak 表面贴装封装形式,能够处理高达 75V 的电压并提供非常低的导通电阻(RDS(on) = 13mΩ)。此外,通过 TO-262 封装设计,这些器件还能适用于高电流需求的应用场景。
    主要功能包括超低导通电阻、快速开关速度以及全雪崩额定值。这些特性使得 IRF2807S/IRF2807L 在 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统等领域具有广泛的应用潜力。

    技术参数


    以下是 IRF2807S/IRF2807L 的关键技术规格:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源电压 (VDSS) | 75 | - | V | - |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 13 | mΩ | VGS = 10V, ID = 43A |
    | 持续漏极电流 (ID) | 82 | 58 | A | VGS = 10V, TC = 25°C, 100°C 分别对应 |
    | 冲击漏极电流 (IDM) | - | 280 | A | - |
    | 最大功耗 (PD) | - | 230 | W | TC = 25°C |
    | 热阻抗 (RθJC) | - | 0.65 | °C/W | - |
    | 热阻抗 (RθJA) | - | 40 | °C/W | PCB 安装 |

    产品特点和优势


    特点
    1. 先进的工艺技术:利用先进的制造工艺实现每单位硅面积的极低导通电阻。
    2. 超低导通电阻:RDS(on) 仅为 13mΩ,显著降低能耗。
    3. 动态 dv/dt 额定值:具备高速开关能力,适用于高频应用场景。
    4. 高可靠性:能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内稳定运行。
    5. 完全雪崩额定值:确保设备在极端条件下的安全性。
    6. 快速开关速度:适合需要高速响应的系统。
    优势
    - 高效节能:减少能量损耗,提高系统整体效率。
    - 可靠性强:适应恶劣环境,延长使用寿命。
    - 集成度高:表面贴装设计简化了安装流程。
    - 应用灵活:适用于多种工业级和消费级电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF2807S/IRF2807L 广泛用于以下领域:
    - DC-DC 转换器:如电动车充电站中的升压或降压转换器。
    - 电机控制:工业自动化设备中的伺服电机驱动器。
    - 电池管理系统:新能源汽车的动力电池保护和平衡电路。
    - 电源供应器:数据中心服务器所需的高效能电源模块。
    使用建议
    1. 散热管理:由于功耗较高,建议使用高效的散热片以避免过热。
    2. 电路布局优化:减少寄生电感,确保信号完整性。
    3. 驱动电路设计:合理选择驱动电阻,确保开关时间符合要求。
    4. 测试验证:严格按照手册提供的测试电路进行调试和验证。

    兼容性和支持


    IRF2807S/IRF2807L 与主流 PCB 制造商提供的标准焊接技术兼容。制造商提供了详细的安装指南和技术支持服务,帮助用户顺利完成产品集成。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热措施,检查是否正确安装散热片。 |
    | 开关速度不足 | 调整驱动电阻值,优化门极驱动电路。 |
    | 高频噪声干扰 | 添加滤波元件,改善电磁兼容性。 |
    | 功率损耗过大 | 检查负载电流是否超出额定范围。 |

    总结和推荐


    IRF2807S/IRF2807L 是一款优秀的功率 MOSFET,凭借其卓越的技术参数、可靠的设计以及广泛的适用性,在现代电力电子领域表现出色。无论是对于追求高效能的企业还是希望降低成本的开发者来说,这款产品都值得推荐。强烈建议在涉及高功率密度和高效率需求的项目中优先考虑此系列器件。

IRF2807STRLPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 10V,3A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 150uA
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 26.5W
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.82nF
Id-连续漏极电流 12.5A
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF2807STRLPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF2807STRLPBF数据手册

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IRF2807STRLPBF封装设计

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型号 价格(含增值税)
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