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IRFS4410ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 230W(Tc) 4V@ 150µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9mΩ@ 58A,10V 97A 4.82nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFS4410ZPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS4410ZPBF

IRFS4410ZPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效能电力电子系统设计。该系列晶体管具备优异的导电性能和鲁棒性,适用于多种高压及高频电路应用。其主要类型包括TO-220AB、D2PAK 和 TO-262 封装形式,分别对应不同的安装需求和应用场景。核心功能包括:
    - 高效同步整流
    - 不间断电源(UPS)
    - 高速功率开关
    - 硬开关与高频电路
    这些器件广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统以及通信设备等领域。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术规格与性能参数:
    | 参数 | 描述 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS | 漏源击穿电压 | 100 V | —— |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | 7.2 mΩ | 9.0 mΩ |
    | ID | 持续漏极电流 | 97 A | —— |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 390 A | —— |
    | Coss eff. (TR) | 输出电容(时间相关) | 690 pF | —— |
    | Coss eff. (ER) | 输出电容(能量相关) | 420 pF | —— |
    | Qg | 总栅极电荷 | 83–120 nC | —— |
    | td(on), tf | 开关延迟时间和下降时间 | 16–57 ns | —— |
    其他关键指标包括工作温度范围:-55°C 至 +175°C;符合RoHS标准,无铅无卤,具备高可靠性与环保特性。

    3. 产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 的显著优势包括:
    1. 改进的栅极鲁棒性:增强抗浪涌能力,在高压环境中有更稳定的运行表现。
    2. 优化的动态特性:快速开关性能减少功耗并提高效率。
    3. 全面表征的电容与雪崩SOA:可靠性和安全操作区域经过严格验证。
    4. 无卤环保设计:符合RoHS标准,满足绿色制造要求。
    这些特点使其成为现代电力电子设备的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 开关电源模块:用于高效率的同步整流电路。
    - 不间断电源系统:支持高频硬开关操作。
    - 高速切换电路:适用于通信设备和工业自动化控制。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需根据热阻特性合理布置散热装置以避免过热。
    - 优化电路设计时,尽量减小寄生电感以提升开关速度。
    - 根据负载需求调整驱动电阻,确保驱动信号的有效性。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 提供多种封装形式,便于客户灵活选用。此外,制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南(如AN-994和AN-1005),帮助用户更好地理解器件特性和实际应用方法。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整驱动电阻,降低驱动频率 |
    | 散热不足导致性能下降 | 加强散热措施,使用大面积铜板 |
    | 栅极振荡现象严重 | 安装外部RC滤波电路 |

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 在性能、可靠性和适用性方面表现出色,非常适合对效率和稳定性有较高要求的应用场合。其紧凑设计和多功能兼容性进一步提升了市场竞争力。综上所述,我们强烈推荐该系列产品作为高端电力电子领域的首选解决方案。
    如有更多疑问或定制化需求,欢迎访问[IR官网](http://www.irf.com/)获取更多信息。

IRFS4410ZPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 97A
配置 独立式withbuilt-indiode
最大功率耗散 230W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 120nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.82nF@50V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 58A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFS4410ZPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS4410ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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IRFS4410ZPBF封装设计

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