处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFS3607PBF

IRFS3607PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140W(Tc) 20V 4V@ 100µA 84nC@ 10 V 1个N沟道 75V 9mΩ@ 46A,10V 80A 3.07nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFS3607PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS3607PBF

IRFS3607PBF概述


    产品简介


    IRFB3607PbF系列MOSFET 是一款高性能的N沟道增强型HEXFET功率场效应晶体管,适用于高效率的同步整流、不间断电源(UPS)、高速电力开关以及硬开关和高频电路等应用。该产品以其出色的开关性能和稳定性,在工业电源领域具有广泛的应用前景。

    技术参数


    以下是IRFB3607PbF系列的关键技术参数和性能指标:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压(VGS) | -20 | 10 | 20 | V |
    | 漏源击穿电压(VDS) | - | 75 | - | V |
    | 静态漏源导通电阻(RDS(on)) | - | 7.34 | 9.0 | mΩ |
    | 漏极连续电流(ID) | - | 80 | - | A |
    | 峰值脉冲漏极电流(IMD) | - | 310 | - | A |
    | 功耗(PD) | - | - | 100 | W |
    | 工作温度范围(TJ) | -55 | 175 | - | °C |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    其他动态特性如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)等参数也在技术手册中清晰定义。

    产品特点和优势


    IRFB3607PbF系列MOSFET的核心优势包括:
    - 高可靠性:改进了栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性。
    - 精确的电气特性:完全校准的电容和雪崩安全工作区(SOA)。
    - 增强的体二极管性能:能够承受更高的dv/dt和di/dt变化。
    这些特性使得该产品非常适合需要高效率和高稳定性的电力系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 高效率同步整流:在开关模式电源(SMPS)中实现低损耗同步整流。
    2. 不间断电源(UPS):用于关键任务设备的高效能源管理。
    3. 高速电力开关:提供快速响应和精确控制的开关功能。
    使用建议:
    - 确保在设计中充分考虑散热问题,尤其是在高电流条件下使用时。
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电阻的阻值适当以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    IRFB3607PbF系列MOSFET可以与多种标准驱动器兼容,如常见的PWM控制器。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括应用笔记和参考设计,方便客户快速集成到系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 检查驱动电路的设计,增加栅极驱动电阻值。 |
    | 热管理不佳 | 使用较大的散热片或增加空气流动来改善散热。 |
    | 输出电流不足 | 检查负载连接是否正确,增加供电能力。 |

    总结和推荐


    IRFB3607PbF系列MOSFET凭借其卓越的性能和高可靠性,成为高效率电力转换应用的理想选择。其在高频率和高功率密度应用中的表现尤为出色。如果您的项目需要高效能和稳定性的MOSFET,强烈推荐此系列产品。
    推荐指数:⭐️⭐️⭐️⭐️⭐️

IRFS3607PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
栅极电荷 84nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 46A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.07nF@50V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 140W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFS3607PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS3607PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFS3607PBF IRFS3607PBF数据手册

IRFS3607PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 17.407 ¥ 145.8707
库存: 57
起订量: 38 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 145.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336