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IRFPS3815PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 441W(Tc) 20V 5V@ 250µA 390nC@ 10 V 1个N沟道 150V 15mΩ@ 63A,10V 390A 6.81nF@25V 通孔安装
供应商型号: 2508386614
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFPS3815PBF

IRFPS3815PBF概述


    产品简介


    IRFPS3815PbF 是一种由International Rectifier公司生产的HEXFET® 功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种功率MOSFET采用先进的加工技术制造,以实现每单位硅面积上的极低导通电阻。这些MOSFET以其高速开关能力和坚固的设计而闻名,能够为各种应用提供极其高效和可靠的性能。

    技术参数


    - 最大连续漏极电流 (ID):@ TC = 25°C 时为 105A;@ TC = 100°C 时为 74A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):可达 390A
    - 最大漏源击穿电压 (VDSS):150V
    - 导通电阻 (RDS(on)):@ VGS = 10V, ID = 63A 时为 0.015Ω
    - 最大功耗 (PD):@ TC = 25°C 时为 441W
    - 热阻 (RθJA):25°C 时为 40°C/W
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 最大雪崩能量 (EAS):1610mJ
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):38mJ
    - 单脉冲雪崩能量 (IAS):可达 390mJ
    - 栅漏电荷 (Qgd):@ VGS = 10V 时为 150~230nC
    - 总栅电荷 (Qg):@ ID = 58A 时为 260~390nC
    - 反向恢复电荷 (Qrr):@ di/dt = 100A/μs 时为 2990~4490nC
    - 反向恢复时间 (trr):@ TJ = 25°C 时为 270~410ns
    - 反向传输电容 (Crss):@ f = 1.0MHz 时为 480pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.):@ VGS = 0V, VDS = 0V 到 120V 时为 1270pF

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:采用了国际领先的技术,保证了低导通电阻。
    2. 超低导通电阻:达到0.015Ω,适合高频应用。
    3. 动态dv/dt评级:适应性强,能够在高压环境下稳定运行。
    4. 高温运行能力:最高可承受175°C的工作温度。
    5. 快速开关速度:适合需要高速响应的应用场合。
    6. 全面的雪崩保护:支持一次性和重复性的雪崩状态。
    7. 无铅设计:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理和直流-直流转换器等领域。具体应用包括电动汽车充电系统、太阳能逆变器、服务器电源供应单元等。
    使用建议:
    - 在高功率密度的应用中,确保散热良好,避免过热。
    - 高频操作时,考虑寄生电感和电容的影响。
    - 使用合适的栅极驱动电路,减少开关损耗。
    - 注意在大电流和高电压条件下的雪崩电流和电压。

    兼容性和支持


    IRFPS3815PbF 具备与标准封装(如Super-247)兼容的特性,易于集成到现有设计中。制造商International Rectifier提供了详细的用户手册和技术支持,以帮助客户进行选型和使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据RDS(on)曲线选择合适的栅极驱动电压,确保在工作温度范围内导通电阻最低。
    2. 问题:如何优化散热性能?
    - 解决方案:使用大面积散热片,并确保良好的热传导路径。考虑使用热界面材料(TIM)来降低接触热阻。
    3. 问题:如何处理快速开关引起的EMI问题?
    - 解决方案:添加适当的EMI滤波器,减少开关噪声。注意栅极走线的长度和布局,以最小化寄生电感。

    总结和推荐


    IRFPS3815PbF 是一款高效可靠的功率MOSFET,适用于多种高压、高频应用。它具备出色的导通电阻和快速开关能力,可以显著提高系统的效率和可靠性。建议在电源管理和电机控制等高功率应用中优先考虑使用此产品。

IRFPS3815PBF参数

参数
栅极电荷 390nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.81nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 63A,10V
Id-连续漏极电流 390A
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式withbuilt-indiode
通道数量 -
最大功率耗散 441W(Tc)
FET类型 1个N沟道
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFPS3815PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFPS3815PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFPS3815PBF IRFPS3815PBF数据手册

IRFPS3815PBF封装设计

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1+ ¥ 92.208
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250+ ¥ 65.3253
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