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IRFZ48NSPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W 20V 1个N沟道 55V 14mΩ 64A D2PAK 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFZ48NSPBF

IRFZ48NSPBF概述

    高效且可靠的电源管理器件——IRFZ48NS

    产品简介


    IRFZ48NS是International Rectifier公司推出的一款高级电源管理器件,属于HEXFET系列的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的加工技术,旨在实现极低的导通电阻(RDS(on)),结合快速开关速度和坚固的设计,使其成为多种应用的理想选择。IRFZ48NS采用表面贴装和直插式两种封装形式,分别是D2PAK和TO-262,能够适应不同场景下的应用需求。

    技术参数


    - 封装:D2PAK(表面贴装)、TO-262(直插式)
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大漏极连续电流(ID):64A
    - 最大耗散功率(PD):25℃时为3.8W,100℃时为45A
    - 击穿电压(V(BR)DSS):55V
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为14mΩ
    - 输入电容(Ciss):1970pF(VGS=0V)
    - 输出电容(Coss):470pF(VDS=25V)
    - 热阻(RqJC):1.15°C/W
    - 工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃
    - 反向恢复时间(trr):典型值为68ns

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:采用先进的制造工艺,使得RDS(on)低至14mΩ,减少了功率损耗,提高了效率。
    - 快速开关:优秀的开关性能有助于减少能量损失,提升系统的整体效率。
    - 高可靠性:耐高温,可承受高达175℃的工作温度,同时具备重复雪崩能量处理能力。
    - 宽泛的应用范围:适合用于高电流应用场合,如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。

    应用案例和使用建议


    IRFZ48NS被广泛应用于各类电力电子系统中,例如数据中心、电动汽车充电站和工业控制设备。为了充分发挥其性能,在设计电路时应注意以下几点:
    - 散热设计:考虑到其高功耗特性,良好的散热设计是必要的。可以通过增大散热片面积或者使用更高效的散热器来实现。
    - 保护电路:为了防止过高的电压或电流对器件造成损害,需要加入过压保护和过流保护电路。
    - 布局优化:在PCB布线时,尽量缩短MOSFET与散热器之间的连接线长度,以减少寄生电感。

    兼容性和支持


    IRFZ48NS与其他标准D2PAK和TO-262封装的产品兼容,可以方便地替换现有设计中的其他MOSFET。International Rectifier公司提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,适当增加散热片面积或者提高空气流动。

    - 问题二:MOSFET损坏。
    - 解决方案:确认是否存在过压或过流情况,安装适当的保护电路,比如瞬态电压抑制器(TVS)和保险丝。

    总结和推荐


    总体而言,IRFZ48NS是一款性能卓越、稳定性强的MOSFET,适用于各种高电流、高可靠性要求的应用场景。它不仅具有出色的电气特性,还提供了灵活的封装选项,便于集成到不同的设计中。对于寻求高性能、高效能的电源管理系统来说,IRFZ48NS无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐给需要高性能电源管理解决方案的设计者和工程师。

IRFZ48NSPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 3.8W
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 独立式withbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 64A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

IRFZ48NSPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFZ48NSPBF数据手册

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IRFZ48NSPBF封装设计

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