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2N6782

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 15W 20V 1个N沟道 100V 690mΩ 3.5A TO-39 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) 2N6782

2N6782概述


    产品简介


    IRFF110 HEXFET™ MOSFET

    产品简介


    IRFF110 是一款由International Rectifier(国际整流器公司)生产的高效功率 MOSFET 晶体管。这款器件采用HEXFET™ 技术,结合了先进的几何结构和独特的加工工艺,能够实现非常低的导通电阻与高跨导特性。IRFF110 具备重复雪崩能力和动态 dv/dt 额定值,适用于多种应用场合,如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 绝对最大额定值 |
    | 连续漏极电流(VGS=10V,TC=25℃) | A | - | 3.5 | - |
    | 连续漏极电流(VGS=10V,TC=100℃) | A | - | 2.25 | - |
    | 脉冲漏极电流 | A | - | 4 | - |
    | 最大耗散功率(TC=25℃) | W | - | 15 | - |
    | 线性降额因子 | W/℃ | - | 0.12 | - |
    | 栅极至源极电压 | V | - | ±20 | - |
    | 单次脉冲雪崩能量 | mJ | - | 68 | - |
    | 峰值二极管恢复 dv/dt | V/ns | - | 5.5 | - |
    | 工作结温 | ℃ | -55 | - | 150 |
    | 存储温度范围 | ℃ | - | - | - |
    | 引脚温度 | ℃ | - | 300 | - |
    | 重量 | g | - | 0.98 | - |

    产品特点和优势


    IRFF110 具备以下显著特点和优势:
    - 重复雪崩能力:能够承受高能量脉冲,适用于恶劣的工作环境。
    - 动态 dv/dt 额定值:具有很高的dv/dt额定值,确保稳定可靠运行。
    - 密封设计:具备良好的防尘和防水性能。
    - 简单的驱动要求:易于驱动,减少了系统复杂度。
    - 并联容易:简化了多个IRFF110器件的并联连接,提高系统可靠性。
    这些特点使其成为多种电力转换和控制应用的理想选择,如开关电源、电机驱动器和逆变器等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFF110 在许多领域都有广泛应用,例如:
    - 开关电源:IRFF110 可用于高效率的开关电源中,提供稳定的输出电压。
    - 电机控制:作为电机驱动器的核心部件,IRFF110 有助于实现精准的电机控制。
    - 逆变器:在太阳能逆变器中,IRFF110 可以提高转换效率和可靠性。
    使用建议
    在使用 IRFF110 时,建议:
    - 严格控制工作温度:由于最大结温为150℃,应注意散热措施,避免高温损坏。
    - 选择合适的驱动电阻:建议使用7.5Ω的栅极驱动电阻,以确保最佳性能。
    - 注意电流限制:由于连续漏极电流随温度升高而降低,应根据实际工作条件选择适当的电流等级。

    兼容性和支持


    IRFF110 与标准的 TO-205AF 封装兼容,便于集成到现有的电路板设计中。国际整流器公司提供了丰富的技术支持和文档资源,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,还提供了对应的SPICE和Saber模型,方便进行仿真和测试。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题:在高温环境下,漏极电流降低。
    解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用强制风冷。
    - 问题:高频工作时,开关损耗增大。
    解决方案:使用较小的栅极电阻(例如7.5Ω),以加快开关速度并减少开关损耗。
    - 问题:封装引脚温度过高。
    解决方案:适当增加散热器面积,或者使用更大尺寸的引脚以改善热传导。

    总结和推荐



    总结


    IRFF110 以其出色的重复雪崩能力和动态 dv/dt 额定值,成为了电力转换和控制领域的理想选择。其简单易用的特性使得集成变得更加方便。总体来说,IRFF110 的优点在于其高性能和广泛的应用范围,适用于各种高功率应用。
    推荐
    基于上述分析,强烈推荐使用 IRFF110 作为高性能电力转换和控制应用的关键器件。其在不同环境下的卓越表现,特别是在高温和高能脉冲环境下的可靠性,使其成为业界领先的解决方案。

2N6782参数

参数
最大功率耗散 15W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 690mΩ
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 3.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-39
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

2N6782厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

2N6782数据手册

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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER 2N6782 2N6782数据手册

2N6782封装设计

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