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IRFAE30

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 800V 通孔安装
供应商型号: LDL-IRFAE30
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFAE30

IRFAE30概述

    # IRFAE30 800V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IRFAE30 是一款高性能的 800V N-通道功率 MOSFET,采用先进的 HEXFET 技术制造。这种器件以其极低的导通电阻(RDS(on))和高转换率(Transconductance)而著称。IRFAE30 适用于广泛的电力电子应用,如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器以及高能脉冲电路。
    主要功能
    - 高重复性雪崩额定值(Repetitive Avalanche Ratings)
    - 快速 dv/dt 动态响应
    - 防水密封(Hermetically Sealed)
    - 简单的驱动需求
    - 易于并联
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机控制
    - 逆变器
    - 斩波器
    - 音频放大器
    - 高能脉冲电路

    技术参数


    以下为 IRFAE30 的关键技术参数:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 漏源击穿电压(BVDSS) | V | 800 | — | — | VGS = 0V, ID = 1.0mA |
    | 静态漏源导通电阻(RDS(on))| Ω | — | 3.2 | 3.7 | VGS = 10V, ID = 2.0A 或 3.1A |
    | 零栅极电压漏极电流(IDSS)| mA | — | — | 250 | VDS = 640V, VGS = 0V, TJ = 125°C |
    | 门极阈值电压(VGS(th)) | V | 2.0 | — | 4.0 | VDS = VGS, ID = 250µA |
    | 总门极电荷(Qg) | nC | 3.0 | — | 6.9 | VGS = 10V, ID = 3.1A |

    产品特点和优势


    IRFAE30 采用了国际整流器公司(International Rectifier)领先的 HEXFET 技术,具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(on) 最小值仅为 3.2Ω,在典型条件下进一步优化至 3.7Ω。
    - 高可靠性和稳定性:具备重复性雪崩能力和快速 dv/dt 响应能力。
    - 易于并联:独特的设计使得器件之间更容易实现并联操作,从而提高系统的可靠性。
    - 简单驱动需求:较低的输入电容降低了驱动电路的设计复杂度,提高了整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFAE30 广泛应用于多种电力电子系统中。例如,在开关电源领域,它可以有效地降低能量损耗;在电机控制方面,则能提供精确的速度和扭矩控制。
    使用建议
    为了充分发挥 IRFAE30 的性能优势,在实际应用过程中应注意以下几点:
    - 确保良好的散热管理以维持较低的工作温度。
    - 正确选择合适的外部组件来匹配其特定的应用需求。
    - 遵循制造商提供的指导书进行正确的焊接工艺。

    兼容性和支持


    IRFAE30 设计上考虑到了广泛的兼容性,能够与其他标准组件无缝对接。此外,国际整流器公司提供了全面的技术支持服务,包括但不限于在线资源库、现场技术支持团队以及定期更新的产品文档。

    常见问题与解决方案


    问题 1: 如何选择适当的栅极电阻?
    解决方案: 根据手册建议,使用 7.5Ω 的栅极电阻可以有效平衡开关速度与功耗之间的关系。
    问题 2: 在高温环境下如何保证正常运行?
    解决方案: 加强冷却措施,确保工作环境温度不超过器件所能承受的最大值,并遵循相关的热管理指南。

    总结和推荐


    综上所述,IRFAE30 是一款非常出色的 N-通道功率 MOSFET,它结合了高效能、高可靠性和易用性的优点。对于需要高性能电力转换解决方案的应用场合来说,这无疑是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐此款产品给所有寻求高质量电力电子解决方案的专业人士。

IRFAE30参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 -
最大功率耗散 -
安装方式 通孔安装

IRFAE30厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFAE30数据手册

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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFAE30 IRFAE30数据手册

IRFAE30封装设计

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