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IRF2807ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 170W 20V 1个N沟道 75V 9.4mΩ 89A TO-220AB 通孔安装
供应商型号: LDL-IRF2807ZPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF2807ZPBF

IRF2807ZPBF概述


    产品简介


    IRF2807ZPbF系列是一款由国际整流器公司(International Rectifier)设计和制造的HEXFET® Power MOSFET。作为先进的功率场效应晶体管,它主要适用于中等电压范围(75V)内的高效率转换应用。该系列的主要功能是实现极低的导通电阻(RDS(on)),从而显著提升能效并减少功率损耗。产品广泛应用于开关电源、电机驱动、工业自动化设备以及其他需要高性能和可靠性的领域。

    技术参数


    以下为IRF2807ZPbF系列的主要技术规格:
    | 参数名称 | 型号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 75 | V | —— | —— | 75 |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 7.5~9.4 | mΩ | —— | —— | —— |
    | 连续漏极电流(ID) | 75 | A | —— | —— | —— |
    | 栅极源极电压(VGS) | ±20 | V | —— | —— | —— |
    | 动态dv/dt额定值 | 支持 | kHz | —— | —— | —— |
    | 工作温度范围(TJ) | -55~+175°C | °C | —— | —— | —— |
    封装形式:
    - TO-220AB、TO-262、D2Pak
    热阻抗:
    - RθJC(结至外壳):0.90°C/W
    - RθJA(结至环境):40°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:
    使用最先进的制造工艺,使每单位硅面积的导通电阻达到极低水平。
    2. 超低导通电阻:
    RDS(on)典型值为7.5~9.4mΩ,能够大幅降低功率损耗,尤其适合高效能设计。
    3. 高可靠性:
    重复雪崩允许至最大结温TJmax,可承受高强度电应力。
    4. 宽温范围:
    可在-55℃到+175℃范围内正常工作,适应恶劣环境需求。
    5. 快速开关性能:
    开关速度极快,适用于高频电路应用。
    6. 无铅环保:
    产品符合环保标准,适合现代绿色电子产品生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:
    IRF2807ZPbF常用于高效率开关电源模块中,特别是在PFC电路中发挥优异性能。

    - 工业自动化设备:
    在工业设备中,例如伺服电机驱动器和PLC控制系统,该器件凭借其高可靠性成为理想选择。
    - 便携式设备:
    系列产品的小巧尺寸使其非常适合于笔记本电脑适配器及手机充电器等领域。
    使用建议
    - 为了提高散热效果,在焊接时请确保PCB板采用推荐的设计和焊接方法(详见应用说明AN-994)。
    - 在高温环境下使用时需特别注意散热措施,避免因过热导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    该产品支持多种封装形式,包括TO-220AB、TO-262和D2Pak,可根据具体需求灵活选择。

    - 技术支持:
    IRF提供详尽的技术文档和在线支持,包括详细的原理图参考设计以及应用程序笔记,方便客户进行系统集成。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过大 | 检查是否正确接线,确认栅极电压是否满足要求(通常为10V)。 |
    | 散热片未有效固定 | 确保散热片与器件之间涂有导热膏,并且固定牢固。 |
    | 超过最大额定电流 | 立即切断电源,检查负载电路以避免进一步损害。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF2807ZPbF系列以其卓越的导通性能、宽广的工作温度范围以及良好的快速开关特性,在众多功率器件中脱颖而出。其广泛的应用领域和高度兼容性使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。
    推荐结论:
    对于需要高效率、高可靠性和良好热管理的场合,强烈推荐选用IRF2807ZPbF系列功率MOSFET。此外,由于其支持无铅环保工艺,也特别适合对环保有严格要求的应用场景。

IRF2807ZPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 89A
Vds-漏源极击穿电压 75V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 170W
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

IRF2807ZPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF2807ZPBF数据手册

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IRF2807ZPBF封装设计

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