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IRFR3607PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140W 20V 1个N沟道 75V 9mΩ DPAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFR3607PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFR3607PBF

IRFR3607PBF概述

    # IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 高效功率 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型及功能
    IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高效 HEXFET 功率 MOSFET 系列器件,专为高频率、高效率的应用设计。这两款器件采用平面工艺制造,适用于多种场景,如同步整流、不间断电源(UPS)、高速功率开关以及硬开关电路。
    主要功能
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 支持极低导通电阻 (典型值为 7.34 mΩ),能够显著降低功耗,提高系统整体效率。
    - 高电流承载能力: 提供连续最大电流为 80A(硅限),支持短时间大电流脉冲(如 46A 脉冲)。
    - 强抗压能力: 能承受高达 75V 的电压,支持高压应用。
    - 快速开关性能: 具有快速开关速度(典型的开关延迟时间 td(on) 为 16ns,关闭时间 td(off) 为 43ns)。
    应用领域
    这些器件广泛应用于现代电力电子领域,例如:
    - 高效同步整流在开关模式电源(SMPS)中的应用;
    - 不间断电源(UPS)中作为核心开关元件;
    - 高速功率开关在各种高频应用中;
    - 硬开关电路和高频率电路(如通信、工业控制和电动汽车等领域)。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 额定电压 (VDSS) | 75 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 7.34 至 9.0 | mΩ |
    | 连续电流 (ID) | 80A (硅限), 56A (封装限) | A |
    | 绝对最大额定温度 (TJ) | 175 | °C |
    | 热阻 (RθJA) | 50 (PCB安装), 110 | °C/W |
    | 门电荷 (QG) | 56 至 84 | nC |
    | 开关时间 | td(on): 16ns
    td(off): 43ns
    工作环境
    - 温度范围: 存储温度 -55 至 +175°C;
    - 最大工作温度: 结温 (TJ) 达到 175°C;
    - 重复性雪崩能量 (EAR): 最大值 480 mJ。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 卓越的鲁棒性: 提供改善的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受能力。
    2. 全面的电容和雪崩特性验证: 完全校准的电容特性和雪崩安全操作区(SOA)。
    3. 增强的体二极管性能: 在快速恢复性能方面表现优异,dI/dt 和 dV/dt 能力进一步提升。
    市场竞争力
    - 高效的功率损耗: 极低的导通电阻结合优化的开关速度,确保在关键应用中实现更高的效率;
    - 广泛的温度适应性: 在 -55°C 到 +175°C 的工作范围内保持稳定运行;
    - 卓越的鲁棒性: 超高的雪崩电流耐受能力使其能够在极端条件下可靠工作。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    1. SMPS 同步整流: 用于服务器、电信设备和消费电子的电源系统,显著提升能效;
    2. UPS 中的开关模块: 支持长时间运行,并能承受高瞬态负载;
    3. 高速驱动电路: 在电机驱动和无线通信设备中提供高效驱动性能。
    使用建议
    - 在设计开关电路时,应特别注意散热问题,尤其是对于高电流场景,推荐使用 PCB 上焊盘扩展方式以减少热阻;
    - 当使用于高频电路时,建议通过优化门极电阻 (RG) 来调整开关速度,从而减小功耗;
    - 确保电路设计中的输入/输出电容与器件兼容,避免过高的 dv/dt 和 di/dt 对电路造成干扰。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 可与多种开关电源芯片和其他功率模块无缝协作。其兼容性得益于标准封装(D-Pak 和 I-Pak),使得这些器件易于集成到现有的电路板设计中。
    支持和服务
    英飞凌提供了丰富的技术支持文档和工具,包括应用笔记(如 AN-994)以及仿真工具,帮助用户进行产品选型和电路优化。同时,完善的售后服务体系为客户提供长期的技术保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件发热严重 | 检查散热设计,增加铜箔面积或外部散热片; |
    | 开关噪声较大 | 减小门极电阻 (RG) 或增加输入滤波电容; |
    | 雪崩测试失败 | 检查雪崩保护电路设计是否合理,确保符合器件规范; |

    总结和推荐


    综合评估
    IRFR3607PbF 和 IRFU3607PbF 是当前市场上极为出色的高性能功率 MOSFET 产品。其显著的优点包括:
    - 卓越的导通电阻与开关速度平衡;
    - 广泛的工作温度范围;
    - 出色的可靠性与抗恶劣条件的能力。
    推荐使用
    我们强烈推荐这些器件应用于需要高效功率转换和高可靠性运行的场合,尤其是在工业控制、数据中心和电动汽车等快速增长的市场中。无论是性能还是性价比,它们都展现了极高的价值,非常值得选择!

IRFR3607PBF参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 75V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 140W
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

IRFR3607PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFR3607PBF数据手册

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IRFR3607PBF封装设计

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