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IRFR13N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 86W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 150V 180mΩ@ 8.3A,10V 14A 620pF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: CSCS-IRFR13N15DPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFR13N15DPBF

IRFR13N15DPBF概述


    产品简介


    IRFR13N15DPbF 是由 Infineon Technologies(原国际整流器公司)推出的高性能 SMPS MOSFET。这款电子元器件采用 HEXFET™ 技术,提供出色的导通电阻和开关速度,适用于高频 DC-DC 转换器和其他功率管理系统中。其主要功能包括低栅极-漏极电荷以减少开关损耗,以及经过全面表征的电容特性以简化设计。典型应用领域包括电信领域的 48V 输入有源钳位正激转换器。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 漏源击穿电压 | - | 150 | - | V | VGS = 0V, ID = 250µA |
    | 静态导通电阻 | - | 0.18 | - | Ω | VGS = 10V, ID = 8.3A |
    | 栅极阈值电压 | 3.0 | - | 5.5 | V | VDS = VGS, ID = 250µA |
    | 栅源漏峰值电流 | - | - | 14 | A | VGS @ 10V |
    | 栅源漏连续电流 | - | 14 | 9.8 | A | VGS @ 10V, TC 分别为 25°C 和 100°C |
    | 功耗 | - | - | 86 | W | TC = 25°C |
    | 栅极-漏极电荷 | - | 19 | 29 | nC | ID = 8.3A |
    | 峰值恢复 dv/dt | - | - | 3.8 | V/ns
    | 热阻抗(结至外壳) | - | 1.75 | - | °C/W

    产品特点和优势


    IRFR13N15DPbF 的关键特点包括:
    - 低栅极-漏极电荷:有效减少开关损耗,提高能效。
    - 完全表征的电容:如 COSS 和其他寄生参数,简化设计流程并提升稳定性。
    - 高可靠性:具有单脉冲雪崩能量高达 130mJ,确保在极端条件下的耐用性。
    - 优化的动态特性:包括快速开关时间和较小的门极充电需求。
    这些特点使其成为高频电源管理系统的理想选择,在效率和可靠性方面极具市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 48V 输入有源钳位正激转换器:适用于现代通信系统中。
    - 通用高频 DC-DC 转换器:适合于需要高效功率传输的应用场景。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于功耗较大,建议使用散热片或其他散热方式来保持结温在安全范围内。
    2. 优化驱动电路:根据推荐的栅极电阻值优化驱动电路,以避免过高的栅极振荡。
    3. 布局设计:遵循应用笔记中推荐的 PCB 布局方法,避免寄生电感对性能的影响。

    兼容性和支持


    IRFR13N15DPbF 支持广泛的驱动电路配置,能够轻松集成到现有的系统中。此外,Infineon 提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和在线技术支持,方便用户进行开发和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启和关断延迟时间较长。
    - 解决方案:适当降低栅极电阻值,确保驱动电路足够强劲。
    2. 问题:热阻抗较高导致器件过热。
    - 解决方案:加强散热措施,如添加散热器或改进 PCB 设计以增强空气流动。
    3. 问题:反向恢复时间过长。
    - 解决方案:选择更高速的二极管作为辅助器件以缩短恢复时间。

    总结和推荐


    IRFR13N15DPbF 是一款出色的 SMPS MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性及良好的动态特性而闻名。它非常适合高频 DC-DC 转换器和其他功率管理系统的设计。结合 Infineon 提供的支持和丰富的技术资源,该产品无疑是高效的电力转换解决方案的理想选择。
    推荐指数:★★★★★

IRFR13N15DPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 8.3A,10V
栅极电荷 29nC@ 10 V
配置 独立式withbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 14A
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 86W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF@25V
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFR13N15DPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFR13N15DPBF数据手册

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IRFR13N15DPBF封装设计

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