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IRF1104PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 170W 20V 1个N沟道 40V 9mΩ 100A TO-220AB 通孔安装
供应商型号: MIK-IRF1104PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF1104PBF

IRF1104PBF概述

    # 第五代HEXFET功率MOSFET技术详解

    产品简介


    第五代HEXFET功率MOSFET由International Rectifier设计并制造,是目前最先进的功率场效应晶体管之一。这些器件利用先进的加工技术实现了每单位硅面积极低的导通电阻(on-resistance),并以其快速开关速度和坚固耐用的设计而闻名。这种组合使得HEXFET功率MOSFET成为适用于各种工业和消费类应用的理想选择。
    主要功能
    - 超低导通电阻(on-resistance):适合高效率电力传输。
    - 快速开关能力:提高系统整体效率并降低开关损耗。
    - 高可靠性:在广泛的温度范围内保持稳定性能。
    应用领域
    这些MOSFET广泛应用于需要高效能转换的应用中,如开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及电动汽车充电基础设施等。

    技术参数


    以下为第五代HEXFET的主要技术规格:
    | 参数 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 持续漏极电流(ID) | 100 | A | VGS=10V |
    | 峰值脉冲漏极电流(IDM) | 400 | A
    | 功率耗散(PD) | 170 | W | TC=25°C |
    | 热阻(RθJC) | 0.90 | °C/W | 从结到外壳 |
    | 击穿电压(V(BR)DSS) | 40 | V | VGS=0V, ID=250µA |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 2.0~4.0 | V | VDS=VGS, ID=250µA |
    | 开关时间(td(on)) | 15 | µs | VDD=20V |

    产品特点和优势


    特点
    1. 超低导通电阻:每单位硅面积上的导通电阻极低,显著降低了导通损耗。
    2. 动态dv/dt额定值:具备出色的动态特性和快速响应能力。
    3. 高工作温度范围:支持高达175°C的工作结温,确保在恶劣环境中正常运行。
    4. 完全雪崩额定值:能够承受瞬态高压冲击,提供卓越的可靠性。
    5. 无铅设计:符合环保要求,减少对环境的影响。
    优势
    - 极高的效率:适合节能型应用。
    - 强大的耐用性:适用于严苛条件下的工业环境。
    - 广泛兼容性:可无缝集成于现有设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于数据中心服务器中的DC-DC转换模块。
    - 电机驱动:作为电动工具的核心组件,实现高效能输出。
    - 汽车电子:在混合动力车辆中充当关键部件,支持高效的能源管理。
    使用建议
    1. 在高频应用场合下,建议使用适当的驱动电路来优化开关性能。
    2. 为了进一步降低热阻,可以选择配备良好散热装置的封装形式。
    3. 结合具体应用场景调整栅极驱动电阻值,以达到最佳平衡点。

    兼容性和支持


    第五代HEXFET MOSFET采用TO-220AB封装,便于安装且成本低廉。它与市场上大多数标准焊锡工艺完全兼容。制造商还提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和技术支持热线,帮助客户解决任何技术难题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 增加栅极驱动强度 |
    | 散热不良导致过热 | 改进散热措施或更换更大尺寸的MOSFET |
    | 导通电阻异常增加 | 检查焊接质量及PCB布局 |

    总结和推荐


    第五代HEXFET MOSFET凭借其创新的设计理念和卓越的技术指标,在众多功率半导体产品中脱颖而出。无论是从性能表现还是成本效益角度来看,它都是一款值得信赖的选择。对于需要高性能、高可靠性的应用场合,强烈推荐使用此款产品。
    综上所述,第五代HEXFET功率MOSFET无疑是一个优秀的产品,非常适合现代电子工程的需求。

IRF1104PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 170W
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

IRF1104PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF1104PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1104PBF IRF1104PBF数据手册

IRF1104PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ $ 1.8776 ¥ 15.7343
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