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IRF7307PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.4W 700mV@ 250µA 20nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V 50mΩ@ 2.6A,4.5V 5.2A 660pF@15V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: CSCS-IRF7307PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF7307PBF

IRF7307PBF概述

    # 产品技术手册:IRF7101 N-Channel MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    基本介绍
    IRF7101 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关电源、电机控制及负载驱动等应用设计。它采用 SO-8 封装形式,具有卓越的导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性,能够在高电压和高电流下稳定运行。
    主要功能
    - 低导通电阻 (RDS(on)):显著降低功耗,提升能效。
    - 高开关速度:通过优化栅极电荷参数 (Qg),实现更快的开关切换。
    - 耐高温特性:适用于-55℃至150℃的工作温度范围。
    应用领域
    - 用于 DC-DC 转换器的功率级。
    - 各类逆变器与电源管理电路。
    - 高频信号放大与调制电路。

    2. 技术参数


    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 15 | V |
    | 最大漏极电流 (ID) | 10 | A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.033 ohm | Ω |
    | 工作温度范围 | -55 至 150 | °C |
    | 最大功耗 (Ptot) | 2.5 | W |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 1 至 4 | V |
    | 输入电容 (Ciss) | 1000 | pF |
    > 注:上述参数均基于室温 25℃ 测试条件。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通损耗:极低的 RDS(on) 使功率转换效率显著提高。
    - 高可靠性:具备良好的热管理和耐高温能力,可在恶劣环境下长期稳定工作。
    - 快速响应:优异的开关速度减少开关损耗,提升整体系统效率。
    市场竞争力
    IRF7101 在竞争激烈的电源管理市场中脱颖而出,凭借其卓越的性能表现,成为众多设计工程师的首选器件。其封装紧凑,便于PCB布局设计,同时支持高频率开关,特别适合小型化、高效率的电力电子设备。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 案例一:DC-DC 转换器
    在一个 24V 输入至 5V 输出的降压拓扑中,IRF7101 的低 RDS(on) 有助于显著降低功耗,从而实现更高的整体效率。

    - 案例二:电机驱动
    IRF7101 可用于电动工具或工业设备的三相无刷直流电机驱动器,其高开关速度可提升整体系统的动态响应性能。
    使用建议
    1. 热管理优化:为了充分利用器件潜力,在高频应用时需确保适当的 PCB 散热设计,避免因温度升高导致性能下降。
    2. 栅极驱动:推荐使用低阻抗的栅极驱动器以减少 Qg 损耗,同时确保稳定的门极电压避免误触发。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    IRF7101 完全符合 JEDEC MS-012AA 封装标准,并与其他同类 SO-8 封装的器件具备良好的互换性,便于现有系统的升级或替换。
    支持服务
    制造商 Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的电气模型文件(SPICE)、热阻参数数据以及应用指南,助力客户快速完成产品设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查栅极驱动器阻抗是否过低。 |
    | 温度过高 | 优化散热设计或降低工作频率。 |
    | 栅极振荡 | 在栅极添加旁路电容,优化 PCB 布局。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    IRF7101 MOSFET 凭借其卓越的导通电阻、快速开关性能及宽广的工作温度范围,展现了强大的市场竞争力。尤其适合于对效率要求高的功率应用场合。
    推荐结论
    IRF7101 是一款值得信赖的产品,无论是用于高效率的电源管理还是高性能的电机控制,都能显著提升系统的性能和可靠性。强烈推荐在高功率密度应用中选用此器件。

IRF7307PBF参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 2.6A,4.5V
FET类型 2N+2P沟道
配置 separate,2elementswithbuilt-indiode
最大功率耗散 1.4W
Id-连续漏极电流 5.2A
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 20nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF@15V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

IRF7307PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF7307PBF数据手册

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