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IRFB4310PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 250nC@ 10 V 1个N沟道 100V 7mΩ@ 75A,10V 130A 7.67nF@50V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: MIK-IRFB4310PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFB4310PBF

IRFB4310PBF概述

    # HEXFET® Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    HEXFET® 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),其型号为 IRFS4310PbF 和 IRFB4310PbF。这些器件适用于多种应用领域,例如开关电源系统(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关及硬开关和高频电路。HEXFET® 具备卓越的栅极抗浪涌能力、雪崩鲁棒性及动态 dv/dt 特性,广泛应用于工业和消费电子领域。
    主要功能
    - 高效同步整流
    - 优异的瞬态响应
    - 支持高频率和高效率运行
    - 强大的热管理能力和低导通电阻
    应用领域
    - 开关电源设计
    - 通信和服务器电源
    - 工业控制和自动化设备
    - 汽车电子
    - 太阳能逆变器和储能系统

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | V | — | — | 100 |
    | 漏极连续电流 | ID | A | — | 130 | — |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | A | — | 92 | — |
    | 栅源电压 | VGS | V | — | 10 | — |
    | 最大功耗 | PD | W | — | 550 | — |
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 导通电阻 | RDS(on)| mΩ | — | 5.6 | 7.0 |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS| V | — | 100 | — |
    | 阈值电压 | VGS(th)| V | 2.0 | — | 4.0 |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 电容门电荷 | QG | nC | — | 170 | 250 |
    | 输入电容 | Ciss | pF | — | 7670 | — |
    | 输出电容 | Coss | pF | — | 540 | — |
    热阻抗
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 结壳热阻 | RθJC | °C/W | — | 0.50 | — |
    | 结温范围 | TJ | °C | — | 175 | — |

    产品特点和优势


    产品优势
    1. 增强的抗冲击能力:包括栅极、雪崩和动态 dv/dt 抗扰能力,提高了整体电路的稳定性。
    2. 全面的电容和雪崩 SOA 参数:确保器件在极端条件下的可靠性。
    3. 增强的体二极管性能:支持更高的 dv/dt 和 di/dt 能力。
    4. 无铅环保设计:符合 RoHS 和其他环保标准。
    市场竞争力
    HEXFET® Power MOSFET 在市场上具有显著的竞争优势,特别是在需要高效率、高功率密度和强抗冲击能力的应用中,如开关电源和高频转换器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源:用于设计高效且稳定的开关电源系统。
    2. 不间断电源(UPS):提供可靠的电力保护和快速切换功能。
    3. 电动汽车(EV)充电器:支持高频率和高功率输出。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路以优化栅极电荷和开关速度。
    - 确保良好的散热设计以避免热失效。
    - 使用外部滤波电容以减少开关噪声的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    HEXFET® MOSFET 可与多种主流封装(如 TO-220AB 和 TO-262)兼容,适用于不同的电路板设计需求。
    支持服务
    Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记(如 AN-994 和 AN-1005)和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据器件的开关时间和功耗需求选择适当的驱动电阻值,通常在 2.6Ω 到 25Ω 范围内。
    问题2:如何防止热失控?
    - 解决方案:通过合理的设计降低结温,确保器件工作在推荐的温度范围内,并增加散热片或风扇进行辅助散热。

    总结和推荐


    综合评估
    HEXFET® Power MOSFET 在技术参数、可靠性、市场竞争力和适用范围上均表现出色。它不仅具备强大的性能,还拥有完善的文档支持和售后服务。
    推荐结论
    强烈推荐 HEXFET® Power MOSFET 用于需要高效率、高可靠性和高频率的工业和消费电子应用中。对于需要严格热管理和快速响应的场合,这款产品是理想的选择。

    如果您有任何进一步的问题或需要更详细的信息,请联系 Infineon Technologies 的官方支持团队。

IRFB4310PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 130A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 250nC@ 10 V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.67nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 在售
包装方式 散装

IRFB4310PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFB4310PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB4310PBF IRFB4310PBF数据手册

IRFB4310PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 3.143 ¥ 26.3385
100+ $ 3.0755 ¥ 25.7723
200+ $ 3.0304 ¥ 25.3944
库存: 29
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