处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 330W 20V 4V@ 250uA 50nC 1个P沟道 75V 4.5mΩ@ 10V,75A 170A 620pF TO-220AB 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF概述


    产品简介


    本文将详细介绍一款先进的电子元器件——N沟道功率MOSFET,型号为IRF1010。IRF1010作为功率半导体领域的代表性产品,具有优异的开关特性和高效率,适用于多种电子设备和系统中。它的主要功能包括提供低导通电阻、高速开关能力以及良好的热稳定性。该产品广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子等领域,是现代电力电子技术的重要组成部分。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数和技术规格:
    - 额定电压 (V):100V
    - 最大漏源电压 (VDS):100V(-4.5V至15V)
    - 最大栅源电压 (VGS):±25V
    - 最大漏极电流 (ID):17A
    - 最大脉冲漏极电流 (IP):42A
    - 最大结温 (Tj):175°C
    - 最小结温 (Tj):-55°C
    - 门极电荷 (Qg):44nC
    - 漏源电容 (Coss):5pF
    - 源极漏极电容 (Css):24pF
    - 驱动电阻 (RG):0.01Ω
    - 封装类型:TO-220AB
    - 热阻 (Rθjc):1.32°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    IRF1010 N沟道功率MOSFET具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 低导通电阻:IRF1010的典型导通电阻仅为4.2毫欧(毫欧级),可以大幅降低功耗并提高整体能效。
    2. 高速开关性能:通过优化的栅极电荷设计,IRF1010可以实现快速开关,从而减少开关损耗。
    3. 高可靠性:它能够在广泛的温度范围内稳定运行,耐受高达175°C的高温,并且具备高雪崩耐受能力。
    4. 良好的散热性能:采用TO-220AB封装,便于安装和散热,能够有效提升设备的长期可靠性和稳定性。
    5. 易于驱动:通过优化的驱动电阻,可以确保稳定的开关性能,减少外部电路的设计复杂度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:例如,IRF1010可用于高效开关电源设计,以实现低损耗和高性能。
    - 电机控制:在电动工具和电动汽车等领域,IRF1010可以用于驱动电机,提供精确的控制和高效能。
    - 汽车电子:在汽车空调、加热系统等模块中,IRF1010可以有效地控制电流和功率,提高系统的可靠性和安全性。
    使用建议
    1. 选择合适的驱动电阻:为了确保IRF1010能够稳定工作,建议使用制造商推荐的驱动电阻值,以保证开关速度和驱动电流的平衡。
    2. 注意散热设计:由于其高功率处理能力,建议在设计散热系统时考虑IRF1010的热量产生,确保适当的冷却措施。
    3. 避免过压情况:尽管IRF1010具有较高的电压承受能力,但在实际应用中仍需确保漏源电压不超过最大值,以避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF1010与市面上常见的电路板设计和封装标准高度兼容,适合广泛的应用场合。
    - 支持和服务:国际整流器公司(International Rectifier)提供了详细的技术文档、用户指南和专业的技术支持服务,帮助用户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下,IRF1010可能出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或者风扇来改善散热效果,同时注意减少外部环境温度。
    2. 问题:驱动电阻选择不当导致驱动不稳定。
    - 解决方案:参照制造商提供的推荐电阻值,根据具体应用需求进行调整。
    3. 问题:在高频开关应用中出现噪声问题。
    - 解决方案:使用屏蔽线缆并正确接地,尽量减少线路中的寄生电感和电容。

    总结和推荐


    综上所述,IRF1010 N沟道功率MOSFET凭借其低导通电阻、高速开关能力和出色的可靠性,在多个领域都有着卓越的表现。它不仅适用于电源管理和电机控制等传统应用,还可以满足汽车电子和其他新兴市场的需求。考虑到其高性价比和广泛的应用范围,强烈推荐此产品给需要高效、可靠的电子元件的设计工程师和系统集成商。

IRF9Z34NPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 10V,75A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 170A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF
通道数量 -
最大功率耗散 330W
栅极电荷 50nC
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF9Z34NPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF9Z34NPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF数据手册

IRF9Z34NPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336