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JANTX2N6796U

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 100V 180mΩ 贴片安装
供应商型号: JANTX2N6796U
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) JANTX2N6796U

JANTX2N6796U概述

    IRFE130 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFE130 是一种采用无引线芯片载体(LCC)封装的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有紧凑的外形和轻量化设计。这款产品是 TO-39 封装的替代品,适用于表面贴装技术(SMT)。IRFE130 具备动态 dv/dt 评级和雪崩能量评级,使得其在高可靠性需求的应用场合中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - BVDSS(漏源击穿电压):100V
    - RDS(on)(静态漏源导通电阻):0.18Ω (VGS=10V, ID=5.0A)
    - ID(连续漏电流):8.0A (VGS=10V, TC=25°C),5.0A (VGS=10V, TC=100°C)
    - IDM(脉冲漏电流):32A
    - PD(最大功耗):25W (TC=25°C)
    - 热阻(RthJC):5.0°C/W (结至外壳)
    - 电气特性:
    - IS(持续源电流):8.0A
    - ISM(脉冲源电流):32A
    - VSD(二极管正向电压):1.5V (Tj=25°C, IS=8.0A, VGS=0V)
    - trr(反向恢复时间):300ns (Tj=25°C, IF=8.0A, di/dt≤100A/µs)
    - QRR(反向恢复电荷):970µc (VDD≤50V)
    - 热参数:
    - TJ(操作结温):-55°C 至 150°C
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 150°C
    - Pckg. Mounting Surface Temp.:300°C (for 5 S)

    3. 产品特点和优势


    - 小型化设计:适合高密度电路板布局。
    - 替代 TO-39 包装:提供更灵活的设计选项。
    - 动态 dv/dt 和雪崩能量评级:适合严苛的工业和汽车应用。
    - 简单驱动要求:易于集成和调试。
    - 轻量化:典型重量为 0.42g。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFE130 主要应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器等领域。以下是实际使用案例和建议:
    - 开关电源:在高频开关电源中,IRFE130 可以通过低 RDS(on) 降低损耗,提高效率。
    - 电机驱动:IRFE130 的动态 dv/dt 和雪崩能量评级使其能够承受瞬态电压冲击。
    - 太阳能逆变器:利用 IRFE130 的大电流能力来实现高效的电力转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,考虑其最大功耗和热阻,确保散热良好。
    - 在进行瞬态电压测试时,选择合适的栅极电阻 (RG) 来限制 dV/dt。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFE130 采用标准 LCC-18 封装,与现有的 SMT 生产线兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和专业技术支持,确保用户能够顺利部署和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加外部散热片或使用散热基板,改善热管理。

    - 问题 2:dV/dt 过高导致可靠性问题。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,确保 dV/dt 在允许范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFE130 N-Channel MOSFET 是一款高性能的产品,具备多种独特功能和优势。它特别适合需要高可靠性、高电流和低功耗的应用场景。对于寻找替代 TO-39 封装并希望提升电路板密度的工程师来说,IRFE130 是一个理想的选择。强烈推荐在各种功率管理和控制应用中使用此产品。

JANTX2N6796U参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ
FET类型 -
栅极电荷 -
安装方式 贴片安装

JANTX2N6796U厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

JANTX2N6796U数据手册

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INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER JANTX2N6796U JANTX2N6796U数据手册

JANTX2N6796U封装设计

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