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IRFS3306PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 230W(Tc) 4V@ 150µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.2mΩ@ 75A,10V 4.52nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: LDL-IRFS3306PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRFS3306PBF

IRFS3306PBF概述

    高质量文章:HEXFET® Power MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是国际整流器公司(International Rectifier)推出的高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),以其卓越的开关特性和可靠性广泛应用于电力电子领域。此产品家族包含多种封装形式(如TO-220、D2Pak和TO-262),以满足不同设计需求。
    主要功能与应用领域
    - 高效率同步整流:适用于开关电源模块(SMPS)。
    - 不间断电源(UPS):提供高效的动态响应和稳定性能。
    - 高速功率开关:适合需要快速开关操作的应用场景。
    - 硬开关及高频电路:支持高频率运行下的出色表现。
    产品系列具备环保特性(铅Free、RoHS合规、无卤素),为现代绿色电子产品设计提供支持。

    2. 技术参数


    以下是IRFB3306、IRFS3306和IRFSL3306关键技术规格的总结:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(V(BR)DSS) 60 V |
    | 静态导通电阻(RDS(on)) 3.3 | 4.2 | mΩ |
    | 最大连续漏极电流(ID) 160 A |
    | 最大脉冲漏极电流(IMD) 620 A |
    | 栅极至源极阈值电压(VGS(th)) | 2.0 4.0 | V |
    其他关键指标包括:
    - 门极电荷(Qg):85~120nC
    - 输出电容(Coss):500pF
    - 有效输出电容(Coss eff.):720~880pF
    - 反向恢复时间(trr):31~35ns(TJ=25°C)
    热阻特性如下:
    - RθJC (Junction-to-Case):0.65°C/W
    - RθJA (Junction-to-Ambient):62°C/W(TO-220),40°C/W(D2Pak)
    这些参数表明产品具备高耐压、低导通电阻及出色的温度适应能力。
    3. 产品特点与优势
    HEXFET® Power MOSFET 的核心优势包括:
    1. 增强的栅极、雪崩和dv/dt鲁棒性:显著提高器件的抗干扰能力和稳定性。
    2. 全特性化电容与雪崩SOA支持:确保可靠运行。
    3. 快速体二极管dv/dt与di/dt能力:适合高频和硬开关场景。
    4. 符合环保标准:完全无铅且RoHS/无卤素设计,适合绿色产品制造。
    这些优势使该产品在高效率、高可靠性应用中脱颖而出。
    4. 应用案例与使用建议
    典型应用场景
    1. 不间断电源(UPS)系统:作为关键的功率转换组件,提供高效率和稳定性能。
    2. 高频SMPS设计:利用其快速开关特性优化能效。
    3. 工业电机驱动控制:在苛刻环境中展现卓越性能。
    使用建议
    - 在选择具体型号时需根据负载电流要求匹配适当的额定值。
    - 设计中需考虑门极驱动电路优化,降低开关损耗。
    - 对于高温环境,建议通过增大散热面积来延长使用寿命。
    5. 兼容性与支持
    该系列产品与多种主流控制器兼容,同时提供全面的技术支持。国际整流器公司还提供了丰富的应用指南和仿真工具,便于客户快速完成开发。此外,公司支持长期供货,保证产品质量一致性。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过温现象 | 增加散热片,改善空气流通。 |
    | 栅极波形异常导致驱动失效 | 调整门极电阻(RG),避免寄生振荡。 |
    | 反向恢复过程中噪声过大 | 在负载端并联电容,抑制电磁干扰。 |
    通过细致调试可有效解决上述问题。
    7. 总结与推荐
    HEXFET® Power MOSFET 系列凭借优异的性能参数、强大的耐用性和广泛的适用性,在电力电子领域具有强大市场竞争力。特别是在高效率和高频开关应用中,其表现尤为突出。对于需要高性能功率管理的设计人员而言,这是一款值得信赖的选择。
    综合评价:高度推荐。
    - 优点:性能卓越、设计灵活、环保合规。
    - 不足:部分参数对极端高温环境依赖较大,需注意散热设计。
    希望本篇解读能够帮助读者更好地了解HEXFET® Power MOSFET的技术特点及其实际应用价值。

IRFS3306PBF参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 120nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 230W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.52nF@50V
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFS3306PBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRFS3306PBF数据手册

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IRFS3306PBF封装设计

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