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IRF7240TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40nC@ 20V 2个P沟道 40V 75mΩ@ 15.1A,10V 12A SOIC
供应商型号: MIK-IRF7240TRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) IRF7240TRPBF

IRF7240TRPBF概述

    # IRF7240PbF HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7240PbF 是一款由国际整流器公司(International Rectifier)开发的高性能P通道MOSFET器件。作为HEXFET系列的一员,它利用先进的制造工艺实现了每单位硅面积极低的导通电阻(RDS(on)),使其成为电池管理与负载控制应用的理想选择。这款器件采用表面贴装设计,具有可焊锡波峰焊接能力,并提供卷带包装形式以满足大批量生产需求。此外,该产品符合无铅标准,适用于现代电子制造要求。
    主要特点:
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - P通道增强型MOSFET结构
    - 表面贴装封装,适合自动化组装
    - 可用作开关元件或线性调节器
    - 符合RoHS标准,环保友好
    应用领域:
    - 手持式电子设备电源管理
    - 汽车电子系统中的负载切换
    - 通信设备电源模块
    - 工业自动化控制电路

    技术参数


    以下是IRF7240PbF的关键技术规格及性能参数:
    | 参数 | 最大值/典型值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 最大结到环境热阻 | 50 | °C/W
    | 漏源击穿电压(VDS) | -40 | V | VGS = 0V, ID = -250µA |
    | 持续漏极电流(ID,TA=25°C) | -10.5 | A | VGS = -10V |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | -43 | A | 单脉冲宽度≤400µs |
    | 功耗(PD,TA=25°C) | 2.5 | W
    | 功耗(PD,TA=70°C) | 1.6 | W
    | 栅极-源极击穿电压(VGS) | ±20 | V
    | 结温范围(TJ, TSTG) | -55至+150 | °C

    产品特点和优势


    IRF7240PbF凭借其卓越的技术指标,在多个方面表现出色:
    1. 超低导通电阻:相较于传统MOSFET,该器件显著降低了能量损耗,提高了能效比。
    2. 多芯片封装:SO-8封装经过定制化设计,增强了热性能并支持多重芯片集成。
    3. 优异的开关特性:快速开关时间和较低的门极电荷使得其非常适合高频应用场景。
    4. 高可靠性:支持宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C),确保在恶劣环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    IRF7240PbF广泛应用于以下领域:
    - 便携式设备:如手机、平板电脑等,用于优化电池续航时间。
    - 汽车电子:用于引擎控制单元(ECU)或车身控制模块的负载管理。
    - 工业控制:用于高压直流转换器中的降压调节。
    使用建议
    为了充分发挥IRF7240PbF的优势,在使用时应注意以下几点:
    1. 确保驱动电路能够提供足够的栅极驱动电压(如-10V)。
    2. 在高温环境下使用时,需合理规划散热方案以避免过热。
    3. 针对短路保护设计专门电路,防止瞬态电流损坏器件。

    兼容性和支持


    IRF7240PbF支持常见的PCB组装工艺,包括蒸汽相回流焊、红外焊接及波峰焊接。制造商Infineon Technologies提供了详尽的产品文档和技术支持服务,帮助客户解决开发过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常发热 | 检查是否有额外电感影响启动过程 |
    | 寿命测试发现失效现象 | 确认是否超过最大额定工作条件 |
    | 开关速度慢 | 检测驱动电路输出阻抗是否过高 |

    总结和推荐


    总体而言,IRF7240PbF凭借其出色的导通电阻、强大的热管理和优良的电气性能,成为一款值得信赖的高性能MOSFET器件。无论是消费类电子产品还是工业控制领域,它都展现出卓越的应用价值。因此,强烈推荐此产品给需要高效能MOSFET解决方案的设计工程师们。
    如果您正在寻找一款兼具效率与可靠性的MOSFET元件,IRF7240PbF无疑是一个明智的选择。请访问Infineon Technologies官网获取更多详细信息和支持资源。

IRF7240TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 40nC@ 20V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 15.1A,10V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个P沟道
通用封装 SOIC

IRF7240TRPBF厂商介绍

International Rectifier(IR)是一家全球领先的功率半导体解决方案供应商,专注于设计、制造和销售广泛的高性能电源管理产品。IR的产品广泛应用于工业、计算、汽车、消费电子、电信和可再生能源市场。

主营产品分类:
1. 电源管理IC:包括PWM控制器、电压调节器、开关稳压器等。
2. 功率MOSFET:包括低压、中压和高压MOSFET,用于各种电源和电机控制应用。
3. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率应用,如电动汽车和工业驱动。
4. 二极管:包括肖特基二极管、快速恢复二极管等,用于电源整流和保护。

应用领域:
1. 工业:电机驱动、电源供应、太阳能逆变器等。
2. 计算:服务器、数据中心、笔记本电脑等。
3. 汽车:电动汽车、混合动力汽车的电池管理、电机控制等。
4. 消费电子:手机、平板电脑、电视等电源管理。
5. 电信:基站电源、通信设备等。

International Rectifier的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高效率的新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户的需求。
3. 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户优化设计和降低成本。

IRF7240TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管(MOSFET) INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF数据手册

IRF7240TRPBF封装设计

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