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IRLB3036PBFXKMA1

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 4397860
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES  IRLB3036PBFXKMA1

IRLB3036PBFXKMA1概述


    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET (IRLB3036PbF)
    HEXFET® Power MOSFET 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它具有优良的开关特性和低导通电阻。这种 MOSFET 主要用于直流电机驱动、同步整流、不间断电源系统、高速功率开关电路、硬开关和高频电路等领域。由于其卓越的性能和广泛的应用范围,HEXFET® Power MOSFET 成为了许多电子设计工程师的首选。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 60V
    - 静态导通电阻(RDS(on)):
    - 最小值:1.9mΩ
    - 最大值:2.4mΩ
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在 25°C 环境下:270A(硅限制)
    - 在 100°C 环境下:190A(硅限制)
    - 在 25°C 环境下:1100A(封装限制)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 290A
    - 最大功率耗散(PD): 10W(在 25°C 下)
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +175°C
    - 最大焊接温度(Tsol): 300°C(持续 10 秒)
    - 热阻(RθJC): 0.40°C/W
    - 热阻(RθCS): 0.50°C/W(散热板平整且涂抹了导热膏)
    - 热阻(RθJA): 62°C/W(安装在 PCB 上)

    产品特点和优势


    - 逻辑电平驱动优化: 适合逻辑电平驱动的优化设计。
    - 低导通电阻: 在 4.5V VGS 时,最低导通电阻为 1.9mΩ。
    - 优异的 RQ: 在 4.5V VGS 时表现出色。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性。
    - 全面表征的电容和雪崩特性。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力。
    - 无铅 TO-220AB 封装。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流电机驱动: 在需要高效率和低功耗的应用中表现良好。
    - 高效率同步整流: 适用于开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
    - 不间断电源系统: 适用于需要高可靠性和快速响应时间的 UPS 系统。
    - 高速功率开关: 适用于需要高频率和快速开关速度的应用。
    使用建议:
    - 电路设计: 在设计电路时,需注意电路中的散热设计,确保设备能够在规定的温度范围内正常运行。
    - 应用注意事项: 确保脉冲宽度不超过 400μs,占空比不超过 2%,以防止过热损坏。
    - 负载测试: 在实际应用中进行充分的负载测试,确保设备在不同负载条件下的稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 封装类型: 无铅 TO-220AB 封装。
    - 应用注意事项: 不建议在表面贴装应用中使用 TO-220AB 封装。
    支持:
    - 技术支持: 访问 Infineon Technologies 的官方网站(www.infineon.com)获取更多支持信息和技术文档。
    - 数据和规格变更通知: 数据和规格可能随时发生变化,务必关注官方网站的更新。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高负载下过热。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保良好的散热路径,并根据需要添加散热器。
    - 问题: 设备启动时无法正常工作。
    - 解决方案: 确认输入电压和门极驱动信号正确,并检查电路连接是否有误。
    - 问题: 设备在反复开关时表现不稳定。
    - 解决方案: 确保设备在规定的工作条件下使用,并避免超出额定工作范围的操作。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: HEXFET® Power MOSFET 具有出色的导通电阻、低功耗和高效的开关特性。它的应用范围广泛,能够满足多种复杂电路的需求。
    - 推荐使用: 这款 MOSFET 是高效能电路设计的理想选择,特别是在需要高效率和可靠性的应用场合。尽管价格较高,但其卓越的性能和长期稳定性使其成为值得投资的产品。
    总之,HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能的 MOSFET,其优异的性能和广泛的应用范围使其成为众多电子设计工程师的首选。如果您正在寻找一种能够应对高效率和快速开关需求的产品,HEXFET® Power MOSFET 将是一个不错的选择。

IRLB3036PBFXKMA1参数

参数
包装方式 管装

IRLB3036PBFXKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLB3036PBFXKMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES INFINEON TECHNOLOGIES IRLB3036PBFXKMA1 IRLB3036PBFXKMA1数据手册

IRLB3036PBFXKMA1封装设计

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