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ISC015N06NM5LF2ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3W(Ta),217W(Tc) 3.45V@ 120µA 113nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.55mΩ@ 50A,10V 275A 9nF@30V 贴片安装
供应商型号: 4335821
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) ISC015N06NM5LF2ATMA1

ISC015N06NM5LF2ATMA1概述


    产品简介


    ISC015N06NM5LF2 是一款采用 TDSON-8 封装的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 OptiMOSTM 5 系列。它具有非常低的导通电阻(RDS(on))和宽广的安全工作区域(SOA),适用于热插拔、电池保护和电子保险丝等应用。该产品完全符合工业应用标准,并且符合 RoHS 和无卤素标准。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大漏源电压 (VDS): 60 V
    - 最大漏极连续电流 (ID): 275 A (TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (ID,pulse): 1100 A (TC=25°C)
    - 最大功率耗散 (Ptot): 217 W (TC=25°C),3.0 W (TA=25°C, RthJA=50°C/W)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60 V
    - 门阈电压 (VGS(th)): 2.25~3.45 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 0.1 μA (VDS=60 V, VGS=0 V, Tj=25°C)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1.3~1.55 mΩ (VGS=10 V, ID=50 A)

    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 6900~9000 pF (VGS=0 V, VDS=30 V, f=1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 1300~1700 pF (VGS=0 V, VDS=30 V, f=1 MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): 55~96 pF (VGS=0 V, VDS=30 V, f=1 MHz)

    产品特点和优势


    ISC015N06NM5LF2 的显著特点是其非常低的 RDS(on),这使得其在需要高效率的应用中表现出色。其宽广的 SOA 也使其能够在极端条件下稳定运行。此外,它还经过了 100% 的雪崩测试,确保在短路等极端情况下的可靠性。该产品采用无铅镀层,符合 RoHS 和无卤素标准,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    ISC015N06NM5LF2 适用于多种应用场景,如热插拔、电池保护和电子保险丝等。例如,在热插拔应用中,该 MOSFET 可以有效控制电流流动,防止过载导致的损坏。对于电池保护应用,该产品可以在检测到异常情况时迅速切断电路,保护电池免受损害。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热问题,确保 Ptot 不超过额定值。
    - 连接电路时,确保所有引脚正确连接,特别是 Drain、Gate 和 Source 引脚,避免短路。
    - 对于需要高频开关的应用,选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能。

    兼容性和支持


    ISC015N06NM5LF2 与标准 TDSON-8 封装兼容,可以方便地替换其他同类产品。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的文档和在线资源。如有任何技术问题,可以通过官方渠道获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 导通电阻过高,影响电路效率。
    - 解决方案: 确认电路中的 VGS 是否足够高,以确保 MOSFET 处于饱和区。检查连接线路是否存在接触不良等问题。

    - 问题: 开关速度慢,影响系统响应时间。
    - 解决方案: 减小外部栅极电阻(RG,ext),提高开关频率。如果仍存在问题,考虑使用更低 RDS(on) 的 MOSFET。

    总结和推荐


    ISC015N06NM5LF2 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适合用于需要高效率和可靠性的应用场景。其低导通电阻和宽广的 SOA 使其成为许多工业应用的理想选择。综合来看,强烈推荐此产品用于需要高性能 MOSFET 的场合。

ISC015N06NM5LF2ATMA1参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.45V@ 120µA
栅极电荷 113nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 275A
通道数量 -
最大功率耗散 3W(Ta),217W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.55mΩ@ 50A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

ISC015N06NM5LF2ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

ISC015N06NM5LF2ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1数据手册

ISC015N06NM5LF2ATMA1封装设计

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