处理中...

首页  >  产品百科  >  IR2131JPBF

IR2131JPBF

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 80ns 6 10V 2μs 20V 800mV,2.2V Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 40ns 半桥 250mA,500mA SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IR2131JPBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 IR2131JPBF

IR2131JPBF概述


    产品简介


    IR2131(J)(S) 电源 MOSFET 和 IGBT 高速驱动器
    概述
    IR2131(J)(S) 是一款高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,专为高性能工业应用设计。该驱动器包含三个独立的高侧和低侧参考输出通道,具备完全从负瞬态电压和快速上升沿耐受性。主要应用于高压电力转换系统、工业自动化设备、电机控制等领域。
    产品类型
    - 三高侧驱动器和三低侧驱动器
    - 兼容 2.5V 逻辑输入
    主要功能
    - 浮动通道设计,支持自举操作
    - 集成过流保护和欠压锁定
    - 输出驱动具有最小交叉传导
    - 配置延迟匹配,简化高频应用
    应用领域
    - 高压电力转换系统
    - 工业自动化设备
    - 电机控制
    - 电源管理系统

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VOFFSET | - | 600 | - | V |
    | IO+/- | 160 | 360 | - | mA |
    | VOUT | 10 | 20 | - | V |
    | ton/off (典型值) | 1.3 | 0.6 | - | µs |

    产品特点和优势


    IR2131(J)(S) 的主要特点和优势:
    - 浮动通道设计:支持自举操作,适用于高达 600V 的高压应用。
    - 高集成度:集成了三个高侧和三个低侧驱动器,提供独立控制。
    - 性能卓越:具有严格的延迟匹配,能够简化高频应用中的配置。
    - 宽电压范围:逻辑输入兼容 2.5V 至 15V 的逻辑电平,满足不同应用需求。
    - 强大的保护机制:内置过流保护和欠压锁定,提高系统的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IR2131(J)(S) 在高压电力转换系统中的应用广泛。例如,在逆变器和变频器的设计中,该芯片能够高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT,实现精确的功率控制。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于该芯片工作在较高温度下,必须确保良好的散热条件,避免热失控。
    2. 电路布局:遵循手册中的典型连接图和应用指南,确保信号完整性。
    3. 过流保护:合理设置电流感测电阻,以确保系统的过流保护功能正常工作。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持多种封装形式,包括 28 引脚 PDIP、28 引脚 SOIC 和 44 引脚 PLCC。
    - 具有与 CMOS 或 LSTTL 输出逻辑的兼容性。
    支持和维护:
    - 用户可访问 IRF 官方网站获取更多技术支持和资源。
    - 厂商提供详尽的应用笔记和设计技巧,帮助用户优化设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过温报警 | 检查散热片是否安装正确,确认风扇运行正常。 |
    | 输出信号异常 | 检查连接线路是否有松动,重焊相关焊点。 |
    | 过流保护失效 | 调整电流感测电阻值,确认外部电路无短路。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IR2131(J)(S) 是一款性能优异的高电压、高频率功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,适合于工业应用中需要高效、可靠功率转换的场合。其强大的保护机制和宽泛的工作电压范围,使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐使用
    考虑到其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在高压电力转换系统、工业自动化设备和电机控制系统中使用 IR2131(J)(S)。不过,用户需注意散热管理和电路布局的细节,以确保系统的长期稳定性。

IR2131JPBF参数

参数
下降时间 40ns
最大高压侧电压-自举 600
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 250mA,500mA
最大传播延迟时间 2μs
通道类型 -
驱动数量 6
最小工作供电电压 10V
最大工作供电电压 20V
输入类型 Inverting
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,2.2V
驱动配置 半桥
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道
上升时间 80ns
16.66mm(Max)
16.66mm(Max)
3.69mm(Min)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IR2131JPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IR2131JPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 INFINEON TECHNOLOGIES IR2131JPBF IR2131JPBF数据手册

IR2131JPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1EDC60H12AH ¥ 47.7581
1SP0635D2S1-33 ¥ 1170
1SP0635V2M1-33 ¥ 1885
2ED2304S06FXLSA1 ¥ 0
2EDN7534FXTMA1 ¥ 3.5629
2SC0108T2G0-17 ¥ 192
2SC0650P2A0-17 ¥ 1534.7194
2SP0320T2A0-12 ¥ 1586.0388
2SP0320V2A0-17 ¥ 1104.84
A3941KLPTR ¥ 35.653